Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592.9.002(043)<.>)
Общее количество найденных документов : 94
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-60      
1.
Жмакин А.И. Численное моделирование гидродинамических процессов при выращивании полупроводниковых структур методами газофазной и жидкофазной эпитаксии. - 1992
2.
Пак Чер Исследование влияния редкоземельной примеси на процесс эпитаксиального роста и свойства эпитаксиальных слоев GaSb и GaAs. - 1992
3.
Тийс С.А. Поведение никеля на атомарно-чистых поверхностях кремния и индуцируемые им структуры. - 1993
4.
Макарова Т.Л. Эллипсометрическая диагностика структур полупроводник-окисел. - 1993
5.
Агапов Б.Л. Физико-химические основы формирования гетероструктур со слоями соединений A B . - 1993
6.
Марков В.А. Формирование поверхности при млекулярно-лучевой эпитаксии германия, кремния и их твердых растворов. - 1993
7.
Иошкин В.А. Исследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевом эпитаксии. - 1994
8.
Кулиш У.М. Физические аспекты процессов межфазного взаимодействия и роста слоев и структур сложных соединений из конденсированных фаз. - 1994
9.
Злотникова И.Я. Теоретическое и экспериментальное исследование процесса термического окисления кремниевых структур. - 1995
10.
Власукова Л.А. Анализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композициях на его основе. - 1995
11.
Королев А.Н. Квазихимическое взаимодействие при формировании приповерхностных легированных слоев и кристаллизации пленок в газофазных процессах диффузии и роста. - 1996
12.
Пчеляков О.П. Формирование пленок и наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния и германия. - 1996
13.
Супрун С.П. Особенности формирования гетерограниц в системах Ge-ZnSe-GaAs и Pt-Si. - 1997
14.
Рубец В.П. Физико-химические процессы конденсации пленок теллурида и сульфида кадмия в широком интервале температур подложек. - 1997
15.
Суровцев И.С. Высокочастотная индукционная и плазменная обработка кремния и гетероструктур. - 1998
16.
Осинский А.В. Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлоорганических соединений. - 1998
17.
Ефремов М.Д. Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках. - 1998
18.
Потапов А.В. Исследование процессов роста гетерокомпозиций Si Ge /Si(100) из сублимирующего источника Si и молекулярного потока GeH . - 1999
19.
Лабутин О.А. Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP:МОС-гидридная эпитаксия. Свойства и применения в оптоэлектронных приборах. - 1999
20.
Лепшин П.А. Исследование закономерностей формирования волнообразных микро- и наноструктур ионными пучками на поверхности кремния. - 1999
 1-20    21-40   41-60      

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)