Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592.9-047.84(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 17
Показаны документы с 1 по 17 |
1. 
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-16316
Автор(ы) : Васютин Д.С.
Заглавие : Исследование зарядовых дефектов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник в условиях сильнополевой туннельной инжекции
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07
Выходные данные : М., 2012
Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-16 (17 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп-структуры--производство--дефекты--технический контроль
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар14-559
Автор(ы) : Лапин В.А.
Заглавие : Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.15
Выходные данные : Нальчик, 2013
Колич.характеристики :20 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-20
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--молекулярно-лучевая эпитаксия--методы исследования
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар10-28792
Автор(ы) : Новиков В.А.
Заглавие : Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металл/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Томск, 2010
Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-18
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592.9-047.84(043) + 621.382.2.018.756-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): контакт металл-полупроводник--диоды шоттки--производство--технический контроль--атомно-силовая микроскопия--подложки--поверхность--морфология--эпитаксиальные пленки--электронные свойства
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар10-24706
Автор(ы) : Дусь А.И.
Заглавие : Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2010
Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-18
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры--диоксид кремния--термическое окисление--моделирование--диэлектрик--интегральные микросхемы
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар10-21058
Автор(ы) : Беспалов А.В.
Заглавие : Модификация эпитаксиальных слоев нитрида галлия в области дефектов роста методом периодического ионно-лучевого осаждения-распыления
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06
Выходные данные : М., 2010
Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-18 (14 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-19481
Автор(ы) : Денисов С.А.
Заглавие : Молекулярно-лучевая эпитаксия из сублимационного источника слоев кремния и гетероструктур SiGe/Si на сапфире
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Н.Новгород, 2012
Колич.характеристики :20 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-20
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры--эпитаксия--микроэлектроника--оптоэлектроника
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-21716
Автор(ы) : Юрасов Д.В.
Заглавие : Особенности образования нанооостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Н.Новгород, 2012
Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-23
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--эпитаксия--селективное легирование--донорные примеси
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар13-5226
Автор(ы) : Курочка А.С.
Заглавие : Особенности электронной эмиссии для контроля процесса реактивного ионно-лучевого травления пленочных гетерокомпозиций
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06
Выходные данные : М., 2013
Колич.характеристики :24 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 22-24 (16 назв.)
ГРНТИ : 47.01.81
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп-структуры--травление--технический контроль
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар14-6494
Автор(ы) : Борисова Т.М.
Заглавие : Поляризационные процессы в слоях аморфного оксида алюминия, полученного методом молекулярного наслаивания
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : СПб., 2014
Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-16 (11 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп-структуры--производство--осаждение атомных слоев
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар14-8974
Автор(ы) : Валов Г.В.
Заглавие : Процессы массопереноса при зонной сублимационной перекристаллизации кремния с использованием микроразмерной ростовой ячейки
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Краснодар, 2013
Колич.характеристики :20 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-20 (14 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры--эпитаксия--зонная сублимационная перекристаллизация
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
11.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар10-24500
Автор(ы) : Милешко Л.П.
Заглавие : Разработка и исследование технологических основ формирования легированных анодных пленок диоксида кремния
: автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.01
Выходные данные : Таганрог, 2010
Колич.характеристики :47 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 41-47 (57 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоксид кремния--анодные пленки--легирование--физико-химические основы--технологические основы--легирующие электролиты--интегральные схемы--полупроводниковые приборы
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
12.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар14-32528
Автор(ы) : Рожавская М.М.
Заглавие : Синтез III-N микро- и наноструктур методом МОГФЭ на подложках сапфира и кремния
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2014
Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-22
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры--газофазная эпитаксия--металл-органические соединения
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
13.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар10-21222
Автор(ы) : Арбенин Д.Е.
Заглавие : Совершенствование технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии на основе программного комплекса
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.113.01
Выходные данные : М., 2010
Колич.характеристики :23 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 23 (12 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
14.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР11-30774
Автор(ы) : Кострюков В.Ф.
Заглавие : Совместное воздействие хемостимуляторов на термооксидирование арсенида галлия
: автореф. дис. ... д-ра хим. наук : 02.00.01
Выходные данные : Воронеж, 2011
Колич.характеристики :31 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 27-31 (59 назв.)
ГРНТИ : 47.09.31 + 47.13.11
УДК : 621.315.61-416(043) + 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): арсенид галлия--термооксидирование--оксидные пленки--гетероструктуры
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
15.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар10-22414
Автор(ы) : Кузубов С.В.
Заглавие : Структурно-фазовые превращения на поверхности арсенидов галлия и индия в процессе взаимодействия с селеном
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Воронеж, 2010
Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : 14-16 (21 назв.)Библиогр.: с.
ГРНТИ : 47.13.33
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
16.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар10-25675
Автор(ы) : Вагапова Н.Т.
Заглавие : Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs методом мосгидридной эпитаксии
: автореф. дис. ... канд. хим. наук : 05.27.06
Выходные данные : М., 2010
Колич.характеристики :23 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 20-22 (8 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры полупроводниковые--капельная эпитаксия--квантовые точки бездислокационные--механизм странского-крастанова--лазерные диоды
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
17.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-19491
Автор(ы) : Якименко А.Н.
Заглавие : Физические основы инженерии радиационных дефектов в диодных и МДП структурах
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : СПб., 2012
Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 13-16 (26 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.382.2-047.84(043) + 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоды полупроводниковые--структуры металл-диэлектрик-полупроводник--производство--инженерия радиационных дефектов
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных