Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592.9:535.37(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 13
Показаны документы с 1 по 13 |
1. 
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР94-1384
Автор(ы) : Куренкеев Б.Т.
Заглавие : Фотолюминесценция легированных кристаллов антимонида индия и двойных гетероструктур CaSb-InAs-GaSb
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : СпБ., 1994
Колич.характеристики :13 с.
Примечания : В надзаг.Рос.АН.Физико-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе: Библиогр.: с.13(10 назв.)
ГРНТИ : 47.33 + 47.35.31
УДК : 621.315.592.9:535.37(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР97-2160
Автор(ы) : Калугин Н.Г.
Заглавие : Исследование спектров экситонной люминесценции гетероструктур Ge/Ge Si со слоями нанометровой толщины
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01, 01.04.07
Выходные данные : Н. Новгород, 1997
Колич.характеристики :18 с.
Примечания : Библиогр.:с. 17-18(14 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9:535.37(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР98-5658
Автор(ы) : Сапега В.Ф.
Заглавие : Фотолюминесценция горячих электронов и комбинационное рассеяние света в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlAs
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : СПб, 1998
Колич.характеристики :38 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. :АН РФ. Физико-техн. ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.:с. 32-38
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9:535.37(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР99-1447
Автор(ы) : Гусев О.Б.
Заглавие : Фото- и электролюминисценция эрбия в полупроводниковых матрицах
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07
Выходные данные : СПб, 1998
Колич.характеристики :42 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. :Рос.АН, Физ.-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.:с. 38-42
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.002.3(043) + 621.315.592.9:535.37(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР00-сф126
Автор(ы) : Емельяненко Ю.С.
Заглавие : Исследование двухслойных структур на основе фосфида индия и арсенида галлия фотолюминесцентным методом
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:05.27.01
Выходные данные : Минск, 1999
Колич.характеристики :21 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. :Нац.АН Беларуси. Ин-т электроники. Библиогр.:с. 18-20(19 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9:535.37(043)
Экземпляры :сф(1)
Свободны : сф(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР00-3419
Автор(ы) : Кудряшов И.В.
Заглавие : Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : СПб, 2000
Колич.характеристики :20 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. :Физико-техн. ин-т им.А.Ф.Иоффе Рос.АН. Библиогр.:с. 20(4 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9:535.37(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-08990
Автор(ы) : Корбутяк Д.В.
Заглавие : Люминесцентные свойства поверхности и границ раздела полупроводниковых слоистых структур
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Киев, 1990
Колич.характеристики :29 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. : АН УССР. ИН-т полупроводников. Библиогр.:с. 25-29(55 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9:535.37(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар03-8058
Автор(ы) : Костишко Б.М.
Заглавие : Механизмы стабилизации фотолюминесценции квантоворазмерных структур на основе кремния и карбида кремния
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Ульяновск, 2003
Колич.характеристики :41 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.: с. 36-41
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9:535.37(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар03-8448
Автор(ы) : Косташко Б.М.
Заглавие : Механизмы стабилизации фотолюминесценции квантоворазмерных структур на основе кремния и карбида кремния
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Ульяновск, 2003
Колич.характеристики :41 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.: с. 36-41(40 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9:535.37(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар04-6279
Автор(ы) : Дорожкин П.С.
Заглавие : Люминесценция индивидуальных квантовых точек в полумагнитных полупроводниках: полярный эффект и флуктуации намагниченности
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Черноголовка, 2004
Колич.характеристики :18 c.:
ил.
Примечания : Библиогр.: с. 16-18
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33
УДК : 537.311.322:535.37(043) + 621.315.592.9:535.37(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
11.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар06-416
Автор(ы) : Трушин А.С.
Заглавие : Фотолюминесценция иттербия в полупроводниковых структурах и наноструктурах
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21
Выходные данные : М., 2005
Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 16-18
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9:535.37(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
12.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар07-14462
Автор(ы) : Красильникова Л.В.
Заглавие : Люминесцентные свойства гетероструктур Si/Si/Ge, легированных примесью эрбия
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Н. Новгород, 2007
Колич.характеристики :19 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 14-18
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9:535.37(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
13.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-23069
Автор(ы) : Горн Д.И.
Заглавие : Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Томск, 2012
Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-18
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9:535.37(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--фотолюминесценция
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных