Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592.9(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 561
Показаны документы с 1 по 30 |
|
1. 
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар14-12535
Автор(ы) : Миронова М.С.
Заглавие : K[[i]]p[[/i]]-теория возмущений и метод инвариантов в теории гетероструктур на основе многодолинных полупроводников с вырожденными зонами
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2014
Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-18
ГРНТИ : 47.03.05
УДК : 621.315.592.9(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--теория
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-4760
Автор(ы) : Дричко И.Л.
Заглавие : Акустические свойства полутораокиси ванадия и антимонида индия в окрестности перехода металл-диэлектрик
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : Л., 1991
Колич.характеристики :28 с.:
ил
Примечания : В надзаг.: АН СССР,Физ.-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.: с. 26-28(26 назв.).
ГРНТИ : 47.09.29
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар13-31964
Автор(ы) : Ермаков М.С.
Заглавие : Анализ генерационно-рекомбинационных и туннельно-рекомбинационных процессов в областях пространственного заряда сложных полупроводниковых структур по экспериментальным вольтамперным характеристикам
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Ульяновск, 2014
Колич.характеристики :24 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 20-24
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33
УДК : 537.311.322:530.145(043) + 621.315.592.9(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--генерационно-рекомбинационные процессы--туннельно-рекомбинационные процессы--полупроводниковые структуры
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар04-13255
Автор(ы) : Борисенко С.И.
Заглавие : Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Томск, 2004
Колич.характеристики :32 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 30-32(33 назв.)
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33
УДК : 537.311.322:535(043) + 537.311.322:537(043) + 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар03-6853
Автор(ы) : Павлюченко М.Н.
Заглавие : Анализ самоорганизованных наноразмерных структур в имплантированном кремнии
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : М., 2002
Колич.характеристики :26 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.: с. 24-26 (22 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР98-4885
Автор(ы) : Калевич В.К.
Заглавие : Анизотропия и нелинейные эффекты при оптической ориентации в объемных полупроводниках и структурах с квантовыми ямами
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мапт. наук в форме науч. докл.:01.04.07
Выходные данные : СПб, 1998
Колич.характеристики :81 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. :Рос.АН. Физ.-техн. ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.:с. 75-81
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар06-6142
Автор(ы) : Евстифеев В.В.
Заглавие : Анизотропия магнитооптического поглощения в полупроводниковых многоямных квантовых структурах с примесными молекулами
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Ульяновск, 2005
Колич.характеристики :25 с:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 23-25
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР00-9647
Автор(ы) : Колоколов К.И.
Заглавие : Анизотропия энергетического спектра и оптические переходы в гетероструктурах р-GaAs/Al Ga As при одноосном сжатии
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.09
Выходные данные : М., 1999
Колич.характеристики :16 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. :МГУ им.М.В.Ломоносова. Физ. фак. Библиогр.:с. 14-16(11 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР00-сф65
Автор(ы) : Толбанов О.П.
Заглавие : Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение)
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук:01.04.10
Выходные данные : Томск, 1999
Колич.характеристики :35 с.
Примечания : Библиогр.:с. 29-35
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :сф(1)
Свободны : сф(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар06-5313
Автор(ы) : Борщ Н.А.
Заглавие : Атомная и электронная структура наноформ на основе кремния
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Воронеж, 2005
Колич.характеристики :16 c.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-16(16 назв.)
ГРНТИ : 47.09.29
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
11.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР00-4265
Автор(ы) : Пархоменко Ю.Н.
Заглавие : Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : М., 2000
Колич.характеристики :46 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.:с. 39-46
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
12.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР00-5524
Автор(ы) : Терещенко О.Е.
Заглавие : Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs,O)
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук: 01.04.10
Выходные данные : Новосибирск, 1999
Колич.характеристики :19 с.:
ил
Примечания : Библиогр.:с. 17-19
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
13.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар06-11715
Автор(ы) : Куянов И.А.
Заглавие : Атомные и электронные процессы на поверхности полупроводников и границах раздела металл-полупроводник
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Владивосток, 2006
Колич.характеристики :34 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 31-34
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33
УДК : 537.311.322(043) + 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
14.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар06-2490
Автор(ы) : Кривошеева А.В.
Заглавие : Атомные конфигурации и электронные свойства наноструктур на основе систем кремний - металл
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Минск, 2005
Колич.характеристики :19 с:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-16(20 назв.). - В надзаг.: Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
15.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР94-4007
Автор(ы) : Сухоруков Е.В.
Заглавие : Баллистический транспорт в структурах с двумерным электронным газом
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07
Выходные данные : Черноголовка, 1993
Колич.характеристики :20 с.
Примечания : В надзаг.: Рос.АН,Ин-т пробл.технологии микроэлектроники и особочистых материалов. Библиогр.: с.20(8 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
16.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар07-132
Автор(ы) : Казанцев Д.В.
Заглавие : Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.05
Выходные данные : М., 2006
Колич.характеристики :47 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 45-47
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33
УДК : 537.311.322:532.6(043) + 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
17.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР98-2251
Автор(ы) : Семухин Б.С.
Заглавие : Блочная структура кристаллов и ее модулирование в тонком протонированном слое
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук:01.04.10
Выходные данные : Томск, 1998
Колич.характеристики :18 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.:с.44-48 (31 назв.)
ГРНТИ : 47.09.29 + 45.09.37
УДК : 621.315.592.9(043) + 621.315.61(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
18.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар04-3462
Автор(ы) : Пупышева О.В.
Заглавие : Вертикальный электронный транспорт в слоистых полупроводниковых структурах
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.09
Выходные данные : М., 2003
Колич.характеристики :19 c.
Примечания : В надзаг.: МГУ им. М.В.Ломоносова, Физ. фак. Библиогр.: с. 17-19
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
19.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар05-8751
Автор(ы) : Кеслер В.Г.
Заглавие : Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Новосибирск, 2005
Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 22(6 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
20.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар10-24739
Автор(ы) : Чубенко Д.Н.
Заглавие : Взаимодействие атомов Ge с поверхностными реконструкциями в системе Me/Si(111)
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Владивосток, 2010
Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-17
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры--искусственные подложки--модификация структуры--модификация свойств--поверхностная реконструкция--твердые растворы
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
21.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР00-9634
Автор(ы) : Кибис О.В.
Заглавие : Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Новосибирск, 1999
Колич.характеристики :33 с.
Примечания : Библиогр.:с. 27-33
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
22.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР00-4743
Автор(ы) : Смирнов И.Ю.
Заглавие : Взаимодействие поверхностных акустических волн с двумерными электронами в гетероструктурах GaAs/AlGaAs в режиме целочисленного квантового эффекта Холла
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07
Выходные данные : СПб, 2000
Колич.характеристики :24 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. :Рос.АН. Физико-техн. ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.:с. 23-24(11 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
23.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-10884
Автор(ы) : Глухов О.В.
Заглавие : Взаимодействие потоков заряженных частиц с электромагнитными колебаниями в полупроводниковых структурах
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07
Выходные данные : Харьков, 1991
Колич.характеристики :18 с
Примечания : В надзаг.: АН УССР,Ин-т радиофизики и электроники. Библиогр.: с. 17-18(10 назв.).
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
24.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР99-7699
Автор(ы) : Супрунов В.В.
Заглавие : Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Краснодар, 1999
Колич.характеристики :17 с.
Примечания : Библиогр.:с. 16-17(7 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
25.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар05-6509
Автор(ы) : Поздняков Д.В.
Заглавие : Влияние рассеяния электронов на электрофизические свойства полупроводниковых структур с низкоразмерным электронным газом
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04
Выходные данные : Минск, 2004
Колич.характеристики :16 с
Примечания : Библиогр.: с. 12-13(12 назв.). - В надзаг.: Белорус. гос. ун-т
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
26.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-014013
Автор(ы) : Осиюк И.Н.
Заглавие : Влияние активных воздействий на спектры электронных состояний границ раздела и приповерхностных областей слоистых структур на основе Si и GaAs
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Киев, 1991
Колич.характеристики :16 с.
Примечания : В надзаг. : АН УССР. Ин-т полупроводников АН УССР. Библиогр.:с. 14-16(12 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
27.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар07-6634
Автор(ы) : Торхов Н.А.
Заглавие : Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Томск, 2007
Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-18
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
28.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар03-8135
Автор(ы) : Шоболов Е.Л.
Заглавие : Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами и точками GaAs/In Ga As
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Н. Новгород, 2003
Колич.характеристики :18 с
Примечания : Библиогр.: с. 17-18.
ГРНТИ : 31.15.21
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
29.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР00-348
Автор(ы) : Холомина Т.А.
Заглавие : Влияние глубоких центров на физические процессы в кремниевых барьерных структурах
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук:01.04.10
Выходные данные : М., 1999
Колич.характеристики :32 с.
Примечания : Библиогр.:с. 27-32(53 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
30.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар07-11146
Автор(ы) : Богданов С.А.
Заглавие : Влияние дефектов на электрофизические свойства структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01
Выходные данные : Таганрог, 2007
Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-16
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных