Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592.9(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 561
Показаны документы с 1 по 30 |
|
1. 
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-021430
Автор(ы) : Пашаев И.Г.
Заглавие : Электрофизические свойства барьерных структур на основе кремния, изготовленных с использованием аморфных и поликристаллических металлических слоев
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Баку, 1990
Колич.характеристики :19 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. : Бакин. гос. ун-т. Библиогр.:с. 17-19(18 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-012698
Автор(ы) : Клусевич А.И.
Заглавие : Синтез и свойства тонкопленочных структур на основе оксидов алюминия и титана
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.04
Выходные данные : Л., 1990
Колич.характеристики :20 с.
Примечания : В надзаг. : Ленингр. технол. ин-т им.Ленсовета. Библиогр.:с. 20(7 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-012678
Автор(ы) : Исаев М.Ш.
Заглавие : Исследование электрических и фотоэлектрических свойств р+-i-p+ и p -i-m структур на основе кремния, компенсированного марганцем
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.07
Выходные данные : Ташкент, 1990
Колич.характеристики :16 с.
Примечания : В надзаг.: Ин-т ядерн. физики. Библиогр.: с.16(9 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-023364
Автор(ы) : Щукин О.С.
Заглавие : Электрофизические свойства аморфных промежуточных слоев Znx Cd Py As в контакте Al-GaAs
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Воронеж, 1990
Колич.характеристики :16 с.
Примечания : В надзаг. : Воронеж. гос. ун-т им.Ленин. комсомола. Библиогр.:с. 15-16
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-012483
Автор(ы) : Рехвиашвили Д.Н.
Заглавие : Разработка и исследование свойств структур InGaAsP/InP для полевых приборов
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Л., 1990
Колич.характеристики :19 с.
Примечания : В надзаг. : АН СССР. Физ.-техн. ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.:с. 17-19
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-07670
Автор(ы) : Гаджиев Я.М.
Заглавие : Фотоэлектрические свойства МДП-структура на основе GaSe и SiO2
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Баку, 1990
Колич.характеристики :20 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. : АН АзССР. Ин-т физики. Библиогр.:с. 19-20(8 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-08331
Автор(ы) : Мамишев Р.Т.
Заглавие : Электрофизические свойства МДП и Ме-nSi структур, изготовленных методом полуоткрытой ампульной диффузионной системы
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Баку, 1990
Колич.характеристики :18 с.
Примечания : В надзаг. : Азерб. гос. ун-т им.С.М.Кирова. Библиогр.:с. 16-18(13 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-04653
Автор(ы) : Портнов С.М.
Заглавие : Влияние примесей галогенов на строение и электрофизические параметры границ раздела St-SiO2 и GaAs-ZnS
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06
Выходные данные : М., 1990
Колич.характеристики :18 с.
Примечания : В надзаг. : Моск. ин-т тонкой хим. технологии им. М.В.Ломоносова. Библиогр.:с. 17-18(9 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-014365
Автор(ы) : Крылов П.Н.
Заглавие : Формирование и свойства внутренней границы раздела в термообработанных контактах металл-кремний
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.07
Выходные данные : Ижевск, 1990
Колич.характеристики :24 с.
Примечания : В надзаг. :АН СССР. Физ.-техн. ин-т. Урал. отд-ние. Библиогр.:с. 22-24(14 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-03145
Автор(ы) : Шумский В.Н.
Заглавие : Получение и исследование гетероэпитаксиальных пленок и структур в системах Ge-GaAs и Pb Sn Te-BaF и их свойства и применение
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Новосибирск, 1990
Колич.характеристики :27 с.
Примечания : В надзаг.:АН СССР. Сиб.отд-ние. Ин-т физики полупроводников. Библиогр.:с.22-27
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
11.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-02748
Автор(ы) : Барабан А.П.
Заглавие : Неравновесные электронные процессы в слоях SiO на кремнии, стимулированные электрическим полем
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Л., 1990
Колич.характеристики :32 с.
Примечания : В надзаг. : ЛГУ. Библиогр.:с. 29-32
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
12.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-01700
Автор(ы) : Шукюров Н.М.
Заглавие : Электрические и оптические свойства монокристаллов CdxHg Te и структур на их основе в сильных электрических полях
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Баку, 1990
Колич.характеристики :21 с.
Примечания : В надзаг. : Бакин. гос. ун-т. Библиогр.:с. 20-21(6 назв.)
ГРНТИ : 57.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
13.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-012301
Автор(ы) : Канцер В.Г.
Заглавие : Электронные свойства сложных узкозонных полупроводников, твердых растворов и слоистых структур на их основе
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени 01.04.10
Выходные данные : Кишинев, 1990
Колич.характеристики :31 с.
Примечания : В надзаг. : Ин-т прикладной физики. Библиогр.:с. 27-31(41 назв.)
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.322:530.145(043) + 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
14.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-08251
Автор(ы) : Соболев А.Г.
Заглавие : Туннельные структуры металл-барьер-металл: свечение и детектирование электромагнитных колебаний
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : М., 1990
Колич.характеристики :40 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. : Моск. ин-т электронной техники. Библиогр.:с. 34-40(32 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
15.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-09885
Автор(ы) : Фомин В.М.
Заглавие : Кинетические эффекты, обусловленные взаимодействием носителей заряда, электромагнитных и полярихзационных полей, в планарных структурах из полупроводников и диэлектриков
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Кишинев, 1990
Колич.характеристики :36 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. : АН МССР. Ин-т прикладной физики. Библиогр.:с. 30-36
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
16.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-023589
Автор(ы) : Мишурный В.А.
Заглавие : Твердые растворы AlGaP, GaInP, GaInAsP, GaInAsSb, AlGaAsSb и гетероструктуры на их основе
: Дис. на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.: 01.04.10
Выходные данные : Л., 1990
Колич.характеристики :41 с.
Примечания : В надзаг. : АН СССР. Физ.-техн. ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.:с. 35-41
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
17.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-06672
Автор(ы) : Венгер Е.Ф.
Заглавие : Поляритонные явления в слоистых пространственно-неоднородных структурах на основе полярных полупроводников
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени дис. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Киев, 1990
Колич.характеристики :29 с.
Примечания : В надзаг. : АН УССР. Ин-т полупроводников. Библиогр.:с. 25-29(46 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
18.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-021667
Автор(ы) : Кулак А.И.
Заглавие : Фотоэлектрохимические и фотохимические процессы в системах на основе полупроводниковых гетероструктур
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук: 02.00.04
Выходные данные : Минск, 1990
Колич.характеристики :43 с.
Примечания : В надзаг. : Белорус. гос. ун-т им.В.И.Ленина. Библиогр.:с. 31-43(112 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
19.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-150
Автор(ы) : До Куок Хунг
Заглавие : Получение фоточувствительных гетероструктур nITO/pInP и исследование их электрофизических свойств
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук:01.04.10
Выходные данные : Кишинев, 1990
Колич.характеристики :16 с
Примечания : В надзаг.: Молд.гос.ун-т им.В.И.Ленина. Библиогр.: с. 15-16.
ГРНТИ : 47.33 + 29.19.31
УДК : 621.315.592.9(043) + 537.311.322:537(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
20.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-1491
Автор(ы) : Заак Хосин
Заглавие : Переходы неравновесных электронов в CuJnSe и Cu Jn Se и гетеропереходах на их основе
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : Баку, 1990
Колич.характеристики :16 с
Примечания : В надзаг.: Бакин.гос.ун-т. Библиогр.: с. 15-165 назв.).
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
21.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-4535
Автор(ы) : Сванидзе Т.М.
Заглавие : Исследование свойств гетеропереходов сильновырожденный полупроводник р-CU S-n-полупроводник
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : Тбилиси, 1990
Колич.характеристики :21 с
Примечания : В надзаг.: Тбилис.гос.ун-т им.И.Джавахишвили. Библиогр.: с. 19-21( 10 назв.).
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
22.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-380
Автор(ы) : Сабер Саид Мадкур
Заглавие : Кинетические эффекты в тонких пленках и в многослойных структурах
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.02
Выходные данные : Кишинев, 1990
Колич.характеристики :15 с
Примечания : В надзаг.: Молдав.гос.ун-т им.В.И.Ленина. Библиогр.: с. 14-15(8назв.).
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
23.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-1946
Автор(ы) : Гашимзаде Н.Ф.
Заглавие : Локализованные состояния электронов и светоэкситонов на дефектах полупроводниковой сверхрешетки
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : Баку, 1990
Колич.характеристики :24 с
Примечания : В надзаг.: АН АзССР,Ин-т физики. Библиогр.: с. 22-24(5назв).
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
24.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-1855
Автор(ы) : Садаев Бури
Заглавие : Особенности получения полуизолирующих слоев GaAs Cr ,Al Ga As Cr методом жидкофазной эпитаксии и исследование фоточувствительных структур на их основе
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : Ашхабад, 1990
Колич.характеристики :20 с.:
ил
Примечания : В надзаг.: АН ТССР,Физ-техн.ин-т. Библиогр.: с. 20(8назв.).
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
25.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-1294
Автор(ы) : Гаджико Мамаду Алиу
Заглавие : Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnTe(Se) -CdSe
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : Кишинев, 1990
Колич.характеристики :11 с
Примечания : В надзаг.: Молдав.гос.ун-т им.В.И.Ленина. Библиогр.: с. 10-11(5назв.).
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
26.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-010841
Автор(ы) : Жиляев Ю.В.
Заглавие : Структуры на основе системы GaAs-GaP: газофазная эпитаксия
: Дис. на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.
Выходные данные : Л., 1991
Колич.характеристики :47 с.
Примечания : В надзаг. : АН СССР. Физ.-техн. ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.:с. 45-47(33 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
27.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-7972
Автор(ы) : Быков А.А.
Заглавие : Свойства мезоскопических систем в микроволновом поле
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : Новосибирск, 1991
Колич.характеристики :17 с
Примечания : В надзаг.: АН СССР,Сиб.отд-ние,Ин-т физики полупроводников. Библиогр.: с. 16-17(13назв.).
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
28.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-014013
Автор(ы) : Осиюк И.Н.
Заглавие : Влияние активных воздействий на спектры электронных состояний границ раздела и приповерхностных областей слоистых структур на основе Si и GaAs
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Киев, 1991
Колич.характеристики :16 с.
Примечания : В надзаг. : АН УССР. Ин-т полупроводников АН УССР. Библиогр.:с. 14-16(12 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
29.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР92-0580
Автор(ы) : Разыков Т.М.
Заглавие : Влияние состава, уровня и профиля легирования на физические свойства пленок бинарных и многокомпонентных соединений
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Кишинев, 1991
Колич.характеристики :34 с.
Примечания : В надзаг. :АН Респ. Молдавия. Библиогр.:с.
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
30.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-8557
Автор(ы) : Анаров Н.
Заглавие : Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : Ташкент, 1991
Колич.характеристики :22 с
Примечания : В надзаг.: Ташкент.гос.ун-т им.В.И.Ленина. Библиогр.: с. 21-22.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33
УДК : 537.311.322:539.216.2(043) + 621.315.592.9(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных