Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592.9(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 561
Показаны документы с 1 по 30 |
|
1. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар15-2506
Автор(ы) : Кхабири Гомаа Махмуд Абдэль Хамид
Заглавие : Динамика решетки гетероструктур на основе феррита висмута и титаната бария-стронция
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Ростов н/Д, 2015 Колич.характеристики :24 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 22-24
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): колебательные спектры--магнитоэлектрические устройства
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
2. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар15-1186
Автор(ы) : Виниченко А.Н.
Заглавие : Электронные транспортные и оптические свойства варизонных наногетероструктур с квантовой ямой Al[[d]]x[[/d]]Ga[[d]]1-x[[/d]]As/In[[d]]y[[/d]]Ca[[d]]1-y[[/d]]As/Al[[d]]x[[/d]]Ca[[d]]1-x[[/d]]As
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : М., 2015 Колич.характеристики :24 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 23-24 (8 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктурные phemt--квантовые ямы--молекулярно-лучевая эпитаксия
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
3. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-15355
Автор(ы) : Илларионов Ю.Ю.
Заглавие : Туннельный транспорт носителей и связанные с ним физические явления в структурах золото - фторид кальция - кремний (III)
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2015 Колич.характеристики :20 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-20
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп--металл-диэлектрик-полупроводник
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
4. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар15-7547
Автор(ы) : Александров И.А.
Заглавие : Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Новосибирск, 2015 Колич.характеристики :26 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 26 (20 назв.)
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33 УДК : 537.311.322:535.37(043) + 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотолюминесценция--полупроводники--безизлучательная рекомбинация
Экземпляры : хр(1) Свободны : хр(1) Найти похожие
|
5. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар15-4433
Автор(ы) : Лобанов М.В.
Заглавие : Структура и свойства тонкопленочного диоксида титана модифицированного ниобием, индием и оловом
: автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.21
Выходные данные : Воронеж, 2015 Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 18 (7 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкопленочные оксидные гетероструктуры--магнетронное распыление--прозрачные проводящие покрытия
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
6. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-8201
Автор(ы) : Власов А.Н.
Заглавие : Особенности электронных и кинетических свойств анизотропных и кластерных полупроводниковых структур
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Липецк, 2014 Колич.характеристики :16 с.
Примечания : Библиогр.: с. 15-16 (19 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые структуры--электронный трпанспорт
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
7. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-31964
Автор(ы) : Ермаков М.С.
Заглавие : Анализ генерационно-рекомбинационных и туннельно-рекомбинационных процессов в областях пространственного заряда сложных полупроводниковых структур по экспериментальным вольтамперным характеристикам
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Ульяновск, 2014 Колич.характеристики :24 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 20-24
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33 УДК : 537.311.322:530.145(043) + 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--генерационно-рекомбинационные процессы--туннельно-рекомбинационные процессы--полупроводниковые структуры
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
8. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-6909
Автор(ы) : Гераськин А.А.
Заглавие : Синтез и свойства пленок Mg(Fe[[d]]0,8[[/d]]Ga[[d]]0,2[[/d]])[[d]]2[[/d]]O[[d]]4-δ[[/d]] на подложках Si c термостабильными межфазными границами
: автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.21
Выходные данные : М., 2014 Колич.характеристики :24 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 21-24 (17 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые магнитные материалы--монокристаллический кремний--пленочные гетероструктуры
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
9. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-4753
Автор(ы) : Рамзанов Ш.М.
Заглавие : Получение и исследование эпитаксиальных пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x, и поверхностно-барьерных структур на их основе
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Махачкала, 2014 Колич.характеристики :21 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-21
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33 УДК : 537.311.322:539.216.2(043) + 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): твердые растворы--пленки--полупроводниковые гетероструктуры
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
10. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-3711
Автор(ы) : Безбабный Д.А.
Заглавие : Исследование формирования, структуры и свойств пленок полупроводниковых силицидов кальция на Si(111)
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Владивосток, 2014 Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 16-18
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
11. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-12535
Автор(ы) : Миронова М.С.
Заглавие : K[[i]]p[[/i]]-теория возмущений и метод инвариантов в теории гетероструктур на основе многодолинных полупроводников с вырожденными зонами
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2014 Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-18
ГРНТИ : 47.03.05 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--теория
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
12. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-14348
Автор(ы) : Капитонов А.А.
Заглавие : Робастное управление быстрыми термическими процессами при газофазной эпитаксии
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.01
Выходные данные : СПб., 2014 Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-18 (8 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые структуры--выращивание--гетероструктуры
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
13. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар15-64
Автор(ы) : Беляев К.Г.
Заглавие : Плазмонные эффекты в композитных металл-полупроводниковых структурах на основе соединений A2B6 и A3N
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2014 Колич.характеристики :26 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 22-26 (37 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): металл-полупроводниковые гетероструктуры--плазмонные эффекты
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
14. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар15-2768
Автор(ы) : Буданов А.В.
Заглавие : Структурно-фазовые превращения и электронные процессы в гетероструктурах A[[p]]III[[/p]]B[[p]]V[[/p]] - A[[d]]2[[p]]III[[/p]][[/d]]C[[d]]3[[/d]][[p]]VI[[/p]]
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Воронеж, 2014 Колич.характеристики :32 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 28-32 (42 назв.)
ГРНТИ : 47.03.05 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): конденсированное состояние--тонкопленочные системы--твердые растворы--полупроводники
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
15. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-13120
Автор(ы) : Кускова А.Н.
Заглавие : Особенности кристаллической и доменной структур и моделирование границы раздела эпитаксиальной системы BST/MgO
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : М., 2014 Колич.характеристики :24 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 20-24
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): релаксация упругих напряжений--граница раздела пленка-подложка
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
16. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-13197
Автор(ы) : Ермачихин А.В.
Заглавие : Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge[[d]]2[[/d]]Sb[[d]]2[[/d]]Te[[d]]5[[/d]] методом спектрометрии низкочастотного шума
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Рязань, 2014 Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 13-16
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): лазерные излучатели--электронные твердотельные приборы--диагностика
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
17. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-5410
Автор(ы) : Тетерин П.Е.
Заглавие : Исследование структурных и функциональных свойств тонкопленочных слоев монохалькогенидов редкоземельных металлов, выращенных методом импульсного лазерного осаждения
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : М., 2013 Колич.характеристики :20 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-20 (8 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магнитные полупроводниковые соединения--моносульфиды--европий--самарий--тонкопленочные структуры--условия формирования
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
18. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-14376
Автор(ы) : Новиков С.И.
Заглавие : Электронно-энергетические и оптические характеристики гексагонального нитрида галлия с дефектами замещения
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04
Выходные данные : Волгоград, 2013 Колич.характеристики :20 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-20
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые структуры--галлий нитриды
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
19. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-3290
Автор(ы) : Бурдейный Д.И.
Заглавие : Электронные и оптические свойства резонансных состояний мелких примесей в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах AIIIBV
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Н.Новгород, 2013 Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-22
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33 УДК : 537.311.322:548.4(043) + 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--примеси--резонансные состояния--полупроводниковые гетероструктуры
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
20. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-4272
Автор(ы) : Шамирзаев Т.С.
Заглавие : Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Новосибирск, 2013 Колич.характеристики :42 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 37-42
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33 УДК : 537.311.322:539.216.2(043) + 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--экситоны--рекомбинация--спиновая релаксация
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
21. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-14242
Автор(ы) : Неверов В.Н.
Заглавие : Квантовые кинетические явления в дырочном газе размерно-квантованной валентной зоны германия
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Екатеринбург, 2013 Колич.характеристики :48 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 43-48
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры--квантовые эффекты--двумерный газ--проводимость--магнитное поле
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
22. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-5946
Автор(ы) : Крупин А.В.
Заглавие : Процессы роста и свойства эпитаксиальных гетероструктур со слоями дифторидов никеля и кадмия
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : СПб., 2013 Колич.характеристики :19 с.
Примечания : Библиогр.: с. 19-20
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры--эпитаксия--кинетика--структурные фазовые переходы--фториды--кремний
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
23. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-32113
Автор(ы) : Терновая В.Е.
Заглавие : Структурные и оптические характеристики эпитаксиальных пятикомпонентных твердых растворов в гетероструктурах на А[[p]]3[[/p]] В[[p]]5[[/p]]
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Воронеж, 2013 Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-16 (7 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры полупроводниковые--твердые растворы
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
24. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-14631
Автор(ы) : Лошкарев И.Д.
Заглавие : Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Новосибирск, 2013 Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-18
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
25. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-16238
Автор(ы) : Спирин Д.Е.
Заглавие : Особенности электронно-энергетической и атомной структуры и фотолюминесценции пленок SiOx имплантированных углеродом
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Воронеж, 2013 Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-16 (12 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры--отжиг--фазовый состав--электронное строение--фотолюминесценция
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
26. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар12-19307
Автор(ы) : Коптев Е.С.
Заглавие : Перенос заряда в системе квантовых точек германия в кремнии
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Новосибирск, 2012 Колич.характеристики :21 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-21
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--туннельно-связанные квантовые точки--механизмы транспорта заряда
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
27. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар12-19739
Автор(ы) : Середин П.В.
Заглавие : Субструктура и оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Воронеж, 2012 Колич.характеристики :32 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 29-32
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--квазипериодические неоднородности--твердые растворы--монокристаллические подложки
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
28. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар12-17090
Автор(ы) : Алещенко Ю.А.
Заглавие : Управление локализацией электронов в полупроводниковых гетероструктурах
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : М., 2012 Колич.характеристики :40 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 35-40
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры полупроводниковые--электронная волновая функция--управление локализацией--методы диагностики
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
29. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар12-4407
Автор(ы) : Мартовицкий В.П.
Заглавие : Тонкие структурные особенности напряженных гетероструктур
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : М., 2012 Колич.характеристики :40 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 37-40. - В надзаг.: Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева РАН
ГРНТИ : 29.19.29 + 47.33 УДК : 538.945(043) + 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): высокотемпературные сверхпроводники--монокристаллы--структурные свойства--полупроводниковые эпитаксиальные слои--периодические структуры--сверхрешетки
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
30. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар12-5310
Автор(ы) : Власов Ю.Н.
Заглавие : Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Воронеж, 2012 Колич.характеристики :16 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.: с. 14-16 (20 назв.)
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33 УДК : 537.311.322:530.145(043) + 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): арсенид галлия--электронные состояния--гетероструктуры--границы раздела--обработка в парах селена
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
|
|
|