Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592.9(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 561
Показаны документы с 1 по 30 |
|
1.
| Пашаев И.Г. Электрофизические свойства барьерных структур на основе кремния, изготовленных с использованием аморфных и поликристаллических металлических слоев/И. Г. Пашаев. - 1990
|
2.
| Клусевич А.И. Синтез и свойства тонкопленочных структур на основе оксидов алюминия и титана. - 1990
|
3.
| Исаев М.Ш. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств р+-i-p+ и p -i-m структур на основе кремния, компенсированного марганцем. - 1990
|
4.
| Щукин О.С. Электрофизические свойства аморфных промежуточных слоев Znx Cd Py As в контакте Al-GaAs. - 1990
|
5.
| Рехвиашвили Д.Н. Разработка и исследование свойств структур InGaAsP/InP для полевых приборов. - 1990
|
6.
| Гаджиев Я.М. Фотоэлектрические свойства МДП-структура на основе GaSe и SiO2/Я. М. Гаджиев. - 1990
|
7.
| Мамишев Р.Т. Электрофизические свойства МДП и Ме-nSi структур, изготовленных методом полуоткрытой ампульной диффузионной системы/Р. Т. Мамишев. - 1990
|
8.
| Портнов С.М. Влияние примесей галогенов на строение и электрофизические параметры границ раздела St-SiO2 и GaAs-ZnS. - 1990
|
9.
| Крылов П.Н. Формирование и свойства внутренней границы раздела в термообработанных контактах металл-кремний. - 1990
|
10.
| Шумский В.Н. Получение и исследование гетероэпитаксиальных пленок и структур в системах Ge-GaAs и Pb Sn Te-BaF и их свойства и применение. - 1990
|
11.
| Барабан А.П. Неравновесные электронные процессы в слоях SiO на кремнии, стимулированные электрическим полем. - 1990
|
12.
| Шукюров Н.М. Электрические и оптические свойства монокристаллов CdxHg Te и структур на их основе в сильных электрических полях. - 1990
|
13.
| Канцер В.Г. Электронные свойства сложных узкозонных полупроводников, твердых растворов и слоистых структур на их основе. - 1990
|
14.
| Соболев А.Г. Туннельные структуры металл-барьер-металл: свечение и детектирование электромагнитных колебаний. - 1990
|
15.
| Фомин В.М. Кинетические эффекты, обусловленные взаимодействием носителей заряда, электромагнитных и полярихзационных полей, в планарных структурах из полупроводников и диэлектриков. - 1990
|
16.
| Мишурный В.А. Твердые растворы AlGaP, GaInP, GaInAsP, GaInAsSb, AlGaAsSb и гетероструктуры на их основе. - 1990
|
17.
| Венгер Е.Ф. Поляритонные явления в слоистых пространственно-неоднородных структурах на основе полярных полупроводников. - 1990
|
18.
| Кулак А.И. Фотоэлектрохимические и фотохимические процессы в системах на основе полупроводниковых гетероструктур. - 1990
|
19.
| До Куок Хунг Получение фоточувствительных гетероструктур nITO/pInP и исследование их электрофизических свойств. - 1990
|
20.
| Заак Хосин Переходы неравновесных электронов в CuJnSe и Cu Jn Se и гетеропереходах на их основе/Заак Хосин. - 1990
|
21.
| Сванидзе Т.М. Исследование свойств гетеропереходов сильновырожденный полупроводник р-CU S-n-полупроводник/Т. М. Сванидзе. - 1990
|
22.
| Сабер Саид Мадкур Кинетические эффекты в тонких пленках и в многослойных структурах. - 1990
|
23.
| Гашимзаде Н.Ф. Локализованные состояния электронов и светоэкситонов на дефектах полупроводниковой сверхрешетки. - 1990
|
24.
| Садаев Бури Особенности получения полуизолирующих слоев GaAs Cr ,Al Ga As Cr методом жидкофазной эпитаксии и исследование фоточувствительных структур на их основе. - 1990
|
25.
| Гаджико Мамаду Алиу Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnTe(Se) -CdSe. - 1990
|
26.
| Жиляев Ю.В. Структуры на основе системы GaAs-GaP: газофазная эпитаксия. - 1991
|
27.
| Быков А.А. Свойства мезоскопических систем в микроволновом поле. - 1991
|
28.
| Осиюк И.Н. Влияние активных воздействий на спектры электронных состояний границ раздела и приповерхностных областей слоистых структур на основе Si и GaAs. - 1991
|
29.
| Разыков Т.М. Влияние состава, уровня и профиля легирования на физические свойства пленок бинарных и многокомпонентных соединений. - 1991
|
30.
| Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе. - 1991
|
|
|
|