Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592.9(043)<.>)
Общее количество найденных документов : 561
Показаны документы с 1 по 30
 1-30    31-60   61-90      
1.
Абрамкин Д.С. Энергетический спектр гетероструктур GaAs/GaP и GaSb/GaP/Д. С. Абрамкин. - 2012
2.
Авдеев Н.А. Неравновесные процессы при формировании диэлектрических слоев и влияние объемного заряда на характеристики МДП структур/Н. А. Авдеев. - 2007
3.
Аврутин В.С. Закономерности релаксации упругих напряжений и диффузия в псевдоморфных SiGe/Si структурах. - 1999
4.
Акимов И.А. Свойства горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs/Al Ga As. - 2000
5.
Александров И.А. Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN/И. А. Александров. - 2015
6.
Алешкин В.Я. Оптические переходы, туннельные и баллистические эффекты в полупроводниковых наноструктурах/В. Я. Алешкин. - 2002
7.
Алещенко Ю.А. Управление локализацией электронов в полупроводниковых гетероструктурах/Ю. А. Алещенко. - 2012
8.
Аминев Д.Ф. Гетероструктуры поликристаллический алмаз/кремний: тепловые свойства структуры и модификация кремния при осаждении алмаза/Д. Ф. Аминев. - 2010
9.
Ампилогов В.П. Рост и структура наноразмерных ориентированных гетероструктур с ограниченной взаимной растворимостью компонентов/В. П. Ампилогов. - 2007
10.
Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе. - 1991
11.
Андаспаева А.А. Исследование электролюминесценции гетеропереходов InGaAsSb/AlGaAsSb. - 1991
12.
Андреев А.Д. Теоретическое исследование беспороговых процессов оже-рекомбинации в полупроводниковых гетероструктурах. - 1997
13.
Анкудинов А.В. Сканирующая туннельная микроскопия границ раздела в гетероструктурах полупроводниковых соединений А В и А В в атмосферных условиях. - 1997
14.
Аннаев А. Механизмы оптической генерации и рекомбинации в фоточувствительных слоях и структурах GaP и GaAs, легированных переходными и редкоземельными элементами. - 1994
15.
Антонова И.В. Локализованные состояния в гетеросистемах на основе кремния, сформированные в деформационных полях/И. В. Антонова. - 2009
16.
Антюшин В.Ф. Полевые полупроводниковые гетероструктуры с распределенными параметрами и зарядовой связью по обогащенному слою. - 1998
17.
Аскинази А.Ю. Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO2 на кремнии/А. Ю. Аскинази. - 2004
18.
Астахов Г.В. Экситон-электронное взаимодействие в модулированно-легированных квантовых ямах на основе полупроводника А2В6. - 2000
19.
Афанасова М.М. Кинетика электронов в композитной наноструктуре на основе соединения InAs/AlSb/М. М. Афанасова. - 2007
20.
Афанасьев А.В. Термически- и радиационно-стойкие контакты "металл-карбид кремния" для приборов экстремальной электроники. - 1999
21.
Багов А.Н. Рентгенодифракционные методы исследования эпитаксиальных структур с градиентом деформации/А.Н. Багов. - 2005
22.
Бадалов А.З. Особенности неравновесных электронно-ионных процессов в МДП и гетероструктурах на основе кремния и фосфида индия. - 1992
23.
Бакаров А.К. Морфология гетерограниц и транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами/А.К. Бакаров. - 2004
24.
Бакаушин Д.А. Квантование проводимости квазидвумерных электронных систем с сильным флуктуационным потенциалом. - 1998
25.
Барабан А.П. Неравновесные электронные процессы в слоях SiO на кремнии, стимулированные электрическим полем. - 1990
26.
Баранов А.М. Создание и исследование многослойных гетероструктур на основе углеродосодержащих слоев, полученных методами ионно-плазменного осаждения. - 1994
27.
Барашев М.Н. Рентгенодифракционное исследование приповерхностных слоев кремния и гетероструктур А В с градиентом деформации. - 2002
28.
Баринов А.В. Спектромикроскопические исследования интерфейсов металл/GaN. - 2001
29.
Барышев М.Г. Размерные эффекты в слоистых полупроводниковых структурах с распределенным p -n-переходом. - 1996
30.
Батов И.Е. Исследование электронных транспортных свойств двумерных систем Ge(111) и GaAs-AlGaAs. - 1992
 1-30    31-60   61-90      

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)