Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592.3(043)<.>)
Общее количество найденных документов : 27
Показаны документы с 1 по 27
1.
Сами Абдэль-Хаким Абдэль-Хамид Низкотемпературные электрические свойства структурно разупорядоченного нейтронами германия/Сами Абдэль-Хаким Абдэль-Хамид. - 1992
2.
Доросинец В.А. Нелинейная проводимость сильно легированного компенсированного арсенида галлия/В. А. Доросинец. - 1992
3.
Макута И.Д. Фотоиндуцированные процессы на поверхности сильно легированных(вырожденных) оксидов металлов и полупроводниковых гетероструктур/И. Д. Макута. - 1992
4.
Мороз В.А. Процессы атомной миграции в приповерхностных слоях кремния в неравновесных условиях (численное исследование). - 1992
5.
Аль-Баккур Фавзи ибн Абдулла Электрофизические и оптические свойства кремния,имплантированного ионами высоких энергий. - 1993
6.
Васин А.С. Влияние всестороннего давления на образование и трансформацию дефектов в ионно-легированных полупроводниковых слоях и других структурах микроэлектроники. - 1993
7.
Оскар Хосе Араика Ривера Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния п-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка. - 1993
8.
Растегаев В.П. Карбид кремния, легированный алюминием, и его использование в высокотемпературных полупроводниковых приборах и керамических нагревательных элементах. - 1993
9.
Сосновский В.Р. Исследование комплексов, содержащих вакансию галлия в арсениде галлия, легированном теллуром или оловом. - 1994
10.
Кагадей В.А. Кратковременно ускоренное испарение примесей из ионно- легированных слоев кремния. - 1994
11.
Бейсенханов Н.Б. Исследование структурных свойств приповерхностного слоя кремния имплантированного высокими дозами углерода. - 1994
12.
Хвальковский Н.А. Медленная релаксация примесного возбуждения в легированных полупроводниках. - 1997
13.
Петров В.В. Примесно-дефектное взаимодействие в кремнии, легированном лантаноидами, алюминием и изовалентными примесями. - 1999
14.
Таскин А.А. Комплексообразование в кремнии, легированном селеном. - 2000
15.
Егоров С.В. Проявление эффектов электронного взаимодействия в низкотемпературных транспортных свойствах нейтронно-легированного Ge:Ga при переходе из изоляторного состояния в металлическое. - 2000
16.
Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких ( 1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С. - 2000
17.
Сягло А.И. Квазиклассическая модель равновесных электронных процессов в легированных полупроводниках. - 2000
18.
Чернова Н.А. Примесные состояния иттребия в сплавах на основе теллурида свинца. - 2001
19.
Корляков Д.Н. Физические свойства термообработанных монокристаллов кремния, легированного германием/Д. Н. Корляков. - 1991
20.
Бахтинов А.П. Влияние висмута и германия на энергетический спектр и физические свойства селенида свинца/А. П. Бахтинов. - 1990
21.
Абдураимов А. Тензоэлектрический эффект и примесные состояния в кремнии, легированном быстродиффундирующими примесями, при одноосном и всестороннем сжатии. - 1990
22.
Светлова Н.Ю. Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии. - 2002
23.
Базылько С.А. Низкотемпературные корреляции примесных возбуждений в легированных полупроводниках. - 2002
24.
Агафонов А.И. Переходы изолятор-сверхпроводник-металл в легированных невырожденных полупроводниках/А.И. Агафонов. - 2005
25.
Варламов А.Г. Магнитные свойства и проводимость кристаллов группы флюорита, содержащих Ян-Теллеровские комплексы примесных d-ионов/А. Г. Варламов. - 2006
26.
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов/В. Н. Перминов. - 2006
27.
Багаева Т.Ю. Оптические свойства радиационных поляритонов в полупроводниковых слоях с сильным экситонным резонансом/Т. Ю. Багаева. - 2008

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)