Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592.3(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 27
Показаны документы с 1 по 27 |
1.
| Сами Абдэль-Хаким Абдэль-Хамид Низкотемпературные электрические свойства структурно разупорядоченного нейтронами германия/Сами Абдэль-Хаким Абдэль-Хамид. - 1992
|
2.
| Доросинец В.А. Нелинейная проводимость сильно легированного компенсированного арсенида галлия/В. А. Доросинец. - 1992
|
3.
| Макута И.Д. Фотоиндуцированные процессы на поверхности сильно легированных(вырожденных) оксидов металлов и полупроводниковых гетероструктур/И. Д. Макута. - 1992
|
4.
| Мороз В.А. Процессы атомной миграции в приповерхностных слоях кремния в неравновесных условиях (численное исследование). - 1992
|
5.
| Аль-Баккур Фавзи ибн Абдулла Электрофизические и оптические свойства кремния,имплантированного ионами высоких энергий. - 1993
|
6.
| Васин А.С. Влияние всестороннего давления на образование и трансформацию дефектов в ионно-легированных полупроводниковых слоях и других структурах микроэлектроники. - 1993
|
7.
| Оскар Хосе Араика Ривера Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния п-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка. - 1993
|
8.
| Растегаев В.П. Карбид кремния, легированный алюминием, и его использование в высокотемпературных полупроводниковых приборах и керамических нагревательных элементах. - 1993
|
9.
| Сосновский В.Р. Исследование комплексов, содержащих вакансию галлия в арсениде галлия, легированном теллуром или оловом. - 1994
|
10.
| Кагадей В.А. Кратковременно ускоренное испарение примесей из ионно- легированных слоев кремния. - 1994
|
11.
| Бейсенханов Н.Б. Исследование структурных свойств приповерхностного слоя кремния имплантированного высокими дозами углерода. - 1994
|
12.
| Хвальковский Н.А. Медленная релаксация примесного возбуждения в легированных полупроводниках. - 1997
|
13.
| Петров В.В. Примесно-дефектное взаимодействие в кремнии, легированном лантаноидами, алюминием и изовалентными примесями. - 1999
|
14.
| Таскин А.А. Комплексообразование в кремнии, легированном селеном. - 2000
|
15.
| Егоров С.В. Проявление эффектов электронного взаимодействия в низкотемпературных транспортных свойствах нейтронно-легированного Ge:Ga при переходе из изоляторного состояния в металлическое. - 2000
|
16.
| Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких ( 1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С. - 2000
|
17.
| Сягло А.И. Квазиклассическая модель равновесных электронных процессов в легированных полупроводниках. - 2000
|
18.
| Чернова Н.А. Примесные состояния иттребия в сплавах на основе теллурида свинца. - 2001
|
19.
| Корляков Д.Н. Физические свойства термообработанных монокристаллов кремния, легированного германием/Д. Н. Корляков. - 1991
|
20.
| Бахтинов А.П. Влияние висмута и германия на энергетический спектр и физические свойства селенида свинца/А. П. Бахтинов. - 1990
|
21.
| Абдураимов А. Тензоэлектрический эффект и примесные состояния в кремнии, легированном быстродиффундирующими примесями, при одноосном и всестороннем сжатии. - 1990
|
22.
| Светлова Н.Ю. Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии. - 2002
|
23.
| Базылько С.А. Низкотемпературные корреляции примесных возбуждений в легированных полупроводниках. - 2002
|
24.
| Агафонов А.И. Переходы изолятор-сверхпроводник-металл в легированных невырожденных полупроводниках/А.И. Агафонов. - 2005
|
25.
| Варламов А.Г. Магнитные свойства и проводимость кристаллов группы флюорита, содержащих Ян-Теллеровские комплексы примесных d-ионов/А. Г. Варламов. - 2006
|
26.
| Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов/В. Н. Перминов. - 2006
|
27.
| Багаева Т.Ю. Оптические свойства радиационных поляритонов в полупроводниковых слоях с сильным экситонным резонансом/Т. Ю. Багаева. - 2008
|
|
|