Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592-416.002(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 21 |
1. 
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар06-10510
Автор(ы) : Сердобинцев А.А.
Заглавие : Влияние освещения на ионное распыление широкозонного гетерофазного полупроводника CdS-PbS
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Саратов, 2006
Колич.характеристики :15 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-16(21 назв.)
ГРНТИ : 47.13.33
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар03-12510
Автор(ы) : Патаридзе З.Г.
Заглавие : Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06
Выходные данные : Новочеркасск, 2003
Колич.характеристики :18 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.: с. 18
ГРНТИ : 47.09.29
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР99-сф92
Автор(ы) : Мармалюк А.А.
Заглавие : Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06
Выходные данные : М., 1998
Колич.характеристики :24 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.:с. 21-24
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592-416.002(043) + 621.383.52.002(043)
Экземпляры :сф(1)
Свободны : сф(1)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР00-7680
Автор(ы) : Ардышев М.В.
Заглавие : Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоев n-GaAs
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : Томск, 2000
Колич.характеристики :19 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. :Сиб.физ.-техн.ин-т при Том.гос.ун-те. Библиогр.:с. 17-19
ГРНТИ : 47.09.29
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР92-4391
Автор(ы) : Брунков П.Н.
Заглавие : Исследования дефектов с глубокими уровнями в нелегированных эпитаксиальных слоях арсенида галлия
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : СПб, 1992
Колич.характеристики :23 с.:
ил
Примечания : В надзаг.: Рос.АН,Физ.-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.: с. 21-22(13 назв.).
ГРНТИ : 47.09.29
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР01-934
Автор(ы) : Матюшкин И.В.
Заглавие : Математическое моделирование технологических процессов на примере автоэпитаксии кремния
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.13.18
Выходные данные : Долгопрудный, 2000
Колич.характеристики :16 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.:с. 14-16(17 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР99-7148
Автор(ы) : Попов А.А.
Заглавие : Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок а-Si:H и сплавов на его основе
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06
Выходные данные : М., 1999
Колич.характеристики :28 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.:с. 24-28 (31 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592-416.002(043) + 621.383.51.002(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар06-13978
Автор(ы) : Ли Цзень Фень
Заглавие : Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.00.02, 01.04.04
Выходные данные : Томск, 2006
Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-18(9 назв.)
ГРНТИ : 47.09.29
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР92-11183
Автор(ы) : Манжосов Ю.А.
Заглавие : Перекриссталлизация пленок кремния в слоистых структурах в условиях наносекундного лазерного воздействия
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07
Выходные данные : Новосибирск, 1992
Колич.характеристики :18 с
Примечания : В надзаг.: АН России,Сиб.отд-ние,Ин-т физики полупроводников. Библиогр.: с. 17-18(5назв.).
ГРНТИ : 47.09.29
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР92-10730
Автор(ы) : Шаламберидзе С.С.
Заглавие : Получение пленок карбтда бора методом лазерного напыления
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07
Выходные данные : М., 1992
Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : В надзаг.: Моск.инж.-физ.ин-т. Библиогр.: с. 14-15(7 назв.).
ГРНТИ : 47.09.29
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
11.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар04-14603
Автор(ы) : Зиновьев В.А.
Заглавие : Процессы на поверхности кремния при низкоэнергетическом воздействии в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Новосибирск, 2004
Колич.характеристики :21 с:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-21(22 назв.)
ГРНТИ : 47.13.33
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
12.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР02-8068
Автор(ы) : Коробцов В.В.
Заглавие : Процессы роста на чистой и модифицированной бором поверхности кремния
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук :01.04.07
Выходные данные : Владивосток, 2002
Колич.характеристики :35 с.:
ил.
Примечания : В надзаг.: Рос. АН. Дальневост. отд-ние, Ин-т автоматики и процессов управления. Библиогр.: с. 30-34(48 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
13.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар04-4961
Автор(ы) : Каблуков А.Л.
Заглавие : Разработка и исследование агрегатов для проведения процесса газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки большого диаметра
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.13
Выходные данные : М., 2003
Колич.характеристики :26 c.:
ил.
Примечания : Библиогр.: с.25-26 (10 назв.)
ГРНТИ : 47.13.33
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
14.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар05-7501
Автор(ы) : Гришко А.С.
Заглавие : Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4 - H2 на подложках цилиндрической формы
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06
Выходные данные : М., 2005
Колич.характеристики :25 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 25(10 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
15.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар04-сф162
Автор(ы) : Шерматов Нурмахмад
Заглавие : Разработка плазмохимической технологии получения катализаторов и ассимиляция гидрида алюминия при синтезе полупроводниковых пленок и порошков
: автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 02.00.04
Выходные данные : Душанбе, 2004
Колич.характеристики :41 с:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 38-41(34 назв.)
ГРНТИ : 47.13.33
УДК : 621.315.592-416.002(043) + 621.315.592-492.2.002(043)
Экземпляры :сф(1)
Свободны : сф(1)
Найти похожие
|
16.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар03-6170
Автор(ы) : Семягин Б.Р.
Заглавие : Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Новосибирск, 2002
Колич.характеристики :18 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.: с. 18 (10 назв.)
ГРНТИ : 47.09.29
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
17.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР01-6929
Автор(ы) : Добрынин А.В.
Заглавие : Феноменологическое моделирование процессов осаждения нитридов алюминия и галлия из газовой фазы
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.27.06
Выходные данные : М., 2001
Колич.характеристики :34 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.: с. 32-34(38 назв.)
ГРНТИ : 47.09.29
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
18.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР90-020193
Автор(ы) : Новиков А.А.
Заглавие : Физико-химические основы синтеза медь-фосфатных стеклообразных покрытий при воздействии лазерного излучения
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени Л.
Выходные данные : Л., 1990
Колич.характеристики :40 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. : Ленингр. технол. ин-т им.Ленсовета. Библиогр.:с. 34-40(54 назв.)
ГРНТИ : 47.13.35
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
19.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР94-5761
Автор(ы) : Кулиш У.М.
Заглавие : Физические аспекты процессов межфазного взаимодействия и роста слоев и структур сложных соединений из конденсированных фаз
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07
Выходные данные : Нальчик, 1994
Колич.характеристики :32 с
Примечания : В надзаг.: Кабардино-Балкар. гос. ун-т. Библиогр.: с.28-32(78назв.)
ГРНТИ : 47.33 + 47.09.29
УДК : 621.315.592.9.002(043) + 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
20.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР01-6279
Автор(ы) : Грунский Д.И.
Заглавие : Формирование слоев аморфного гидрогенизированного кремния в силансодержащей плазме комбинированного разряда
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.06
Выходные данные : Минск, 2001
Колич.характеристики :21 с.:
ил.
Примечания : В надзаг.: Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники. Библиогр.: с. 17-18(16 назв.)
ГРНТИ : 47.09.29
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
21.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР92-5760
Автор(ы) : Субашиева Е.А.
Заглавие : Численное моделирование течения и роста AIGаAs/GаAs и InGaP/GaAs слоевв горизонтальном газоэпитаксиальном реакторе
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.02.05
Выходные данные : СПб, 1992
Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : В надзаг.: Рос.АН,Физ.-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.: с.17-18 (10 назв.).
ГРНТИ : 47.09.29
УДК : 621.315.592-416.002(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных