Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592-416.002(043)<.>)
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 21
1.
Сердобинцев А.А. Влияние освещения на ионное распыление широкозонного гетерофазного полупроводника CdS-PbS/А. А. Сердобинцев. - 2006
2.
Патаридзе З.Г. Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником. - 2003
3.
Мармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия/А. А. Мармалюк. - 1998
4.
Ардышев М.В. Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоев n-GaAs. - 2000
5.
Брунков П.Н. Исследования дефектов с глубокими уровнями в нелегированных эпитаксиальных слоях арсенида галлия. - 1992
6.
Матюшкин И.В. Математическое моделирование технологических процессов на примере автоэпитаксии кремния. - 2000
7.
Попов А.А. Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок а-Si:H и сплавов на его основе. - 1999
8.
Ли Цзень Фень Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком/Ли Цзень Фень. - 2006
9.
Манжосов Ю.А. Перекриссталлизация пленок кремния в слоистых структурах в условиях наносекундного лазерного воздействия. - 1992
10.
Шаламберидзе С.С. Получение пленок карбтда бора методом лазерного напыления. - 1992
11.
Зиновьев В.А. Процессы на поверхности кремния при низкоэнергетическом воздействии в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии/В. А. Зиновьев. - 2004
12.
Коробцов В.В. Процессы роста на чистой и модифицированной бором поверхности кремния. - 2002
13.
Каблуков А.Л. Разработка и исследование агрегатов для проведения процесса газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки большого диаметра. - 2003
14.
Гришко А.С. Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4 - H2 на подложках цилиндрической формы/А. С. Гришко. - 2005
15.
Шерматов Нурмахмад Разработка плазмохимической технологии получения катализаторов и ассимиляция гидрида алюминия при синтезе полупроводниковых пленок и порошков/Шерматов Нурмахмад. - 2004
16.
Семягин Б.Р. Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. - 2002
17.
Добрынин А.В. Феноменологическое моделирование процессов осаждения нитридов алюминия и галлия из газовой фазы. - 2001
18.
Новиков А.А. Физико-химические основы синтеза медь-фосфатных стеклообразных покрытий при воздействии лазерного излучения/А. А. Новиков. - 1990
19.
Кулиш У.М. Физические аспекты процессов межфазного взаимодействия и роста слоев и структур сложных соединений из конденсированных фаз. - 1994
20.
Грунский Д.И. Формирование слоев аморфного гидрогенизированного кремния в силансодержащей плазме комбинированного разряда. - 2001
21.
Субашиева Е.А. Численное моделирование течения и роста AIGаAs/GаAs и InGaP/GaAs слоевв горизонтальном газоэпитаксиальном реакторе. - 1992
 
Описание базы данных
Стандартный
Расширенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика обращений
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)