Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=537.311.322:548.5(043)<.>)
Общее количество найденных документов : 44
Показаны документы с 1 по 30
 1-30    31-44 
1.
Силаев И.В. Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского/И. В. Силаев. - 2008
2.
Бровин Д.С. Численное моделирование роста поликристаллического кремния из хлоридных соединений/Д. С. Бровин. - 2008
3.
Саханский С.П. Управление процессом выращивания монокристаллов германия на основе контактного метода измерения/С. П. Саханский. - 2009
4.
Дирин Д.Н. Особенности роста и оптические свойства нанокристаллов CdTe и гетероструктур на их основе/Д. Н. Дирин. - 2011
5.
Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование)/А. Г. Настовьяк. - 2010
6.
Сибирев Н.В. Кинетические модели роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов/Н. В. Сибирев. - 2007
7.
Терехин Н.А. Создание экологичных и виброустойчивых механических модулей высокопроизводительного оборудования для выращивания монокристаллического кремния/Н. А. Терехин. - 2004
8.
Панов П.И. Построение систем управления и информационно-измерительных модулей высокопроизводительного оборудования для выращивания монокристаллического кремния/П. И. Панов. - 2004
9.
Картавых А.В. Выращивание монокристаллов полупроводников методом бестигельной зонной плавки в условиях орбитального космического полета/А. В. Картавых. - 2005
10.
Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке/Ю. В. Пивоваров. - 2006
11.
Русинов С.В. Градиентная жидкофазная кристаллизация твердых растворов PbSnTe/PbTe с применением системы цифровой обработки сигналов/С.В. Русинов. - 2005
12.
Фадеев А.Ю. Оптимизация процесса роста монокристаллов карбида кремния на затравках различных кристаллографических ориентаций/А. Ю. Фадеев. - 2013
13.
Лебедев А.О. Рост и дефектообразование монокристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ/А. О. Лебедев. - 2013
14.
Пресняков Р.В. Выращивание мультикристаллического кремния на основе металлургического кремния высокой чистоты/Р. В. Пресняков. - 2013
15.
Харламов Н.А. Ионно-плазменное получение и возможность использования слоев твердого раствора на основе (SiC)1-x(AlN)x на монокристаллическом кремнии/Н. А. Харламов. - 2015
16.
Завалишин М.А. Физические и технологические основы получения систем эпитаксиальных нитевидных кристаллов кремния/М. А. Завалишин. - 2014
17.
Каневский В.М. Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах/В. М. Каневский. - 2013
18.
Левонович Б.Н. Физико-химические основы технологии получения монокристаллов и поликристаллических пленок широкозонных полупроводниковых соединений группы А2В6 с управляемыми свойствами/Б. Н. Левонович. - 2010
19.
Гоник М.М. Повышение точности управления температурным режимом в установках выращивания монокристаллов/М. М. Гоник. - 2011
20.
Васекин Б.В. Исследование неравновесной кристаллизации в условиях концентрационного переохлаждения при описании направленного роста кристаллов методом Бриджмена/Б. В. Васекин. - 2011
21.
Фрицлер К.Б. Формирование огранки и кристаллической структуры кремния. выращенного методом бестигельной зонной плавки/К. Б. Фрицлер. - 2012
22.
Никитин Д.А. Устойчивость и нелинейные режимы адвективных течений в слоях и каналах с адиабатическими границами/Д. А. Никитин. - 2012
23.
Косушкин В.Г. Управление ростом кристаллов арсенидов галлия и индия путем низкоэнергетических воздействий. - 2000
24.
Филимонов С.Н. Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка. - 2000
25.
Смирнов В.М. Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой. - 2000
26.
Вотинцева Е.Е. Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства. - 2000
27.
Благина Л.В. Кристаллизация твердых растворов InSbBi, AlInSbBi и AlGaInSbBi с заданным энергетическим спектром в поле температурного градиента. - 2001
28.
Кудрицкая Е.А. Выращивание монокристаллов CuIn S , AgIn S и твердых растворов Сu Ag In S и создание структур на их основе. - 1999
29.
Яшина Л.В. Кинетические закономерности газофазного роста кристаллов в системе Pb-Ge-Te. - 1996
30.
Филаретов А.Г. Влияние условий роста в методе молекулярно-пучковой эпитаксии на формирование границ раздела соединений А В . - 1994
 1-30    31-44 

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)