Поисковый запрос: (<.>U=537.311.322:548.5(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 44
Показаны документы с 1 по 20 |
|
>1. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар09-1768
Силаев, И. В. Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / И. В. Силаев. - М., 2008. - 22 с : ил. - Библиогр.: с. 22(5 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>2. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар08-8386
Бровин, Д. С. Численное моделирование роста поликристаллического кремния из хлоридных соединений [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. С. Бровин. - СПб., 2008. - 16 с : ил. - Библиогр.: с. 18(6 НАЗВ.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>3. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар09-3745
Саханский, С. П. Управление процессом выращивания монокристаллов германия на основе контактного метода измерения [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.13.06 / С. П. Саханский. - Красноярск, 2009. - 42 с. : ил. - Библиогр.: с. 40-42(27 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>4. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар11-4795
Дирин, Д. Н. Особенности роста и оптические свойства нанокристаллов CdTe и гетероструктур на их основе [Текст] : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.21 / Д. Н. Дирин. - М., 2011. - 24 с. : ил. - Библиогр.: с. 21-23
Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия -- нанокристаллы -- коллоидный синтез -- оптические свойства -- морфология -- гетероструктуры
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>5. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар10-27132
Настовьяк, А. Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. Г. Настовьяк. - Новосибирск, 2010. - 21 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-21
Кл.слова (ненормированные): физика полупроводников -- нанокристаллы -- кремний -- германий -- нановискеры -- модель роста монте-карло -- диффузия -- химические превращения -- морфология поверхности -- газофазная эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- аксиальные гетеропереходы
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>6. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар07-7680
Сибирев, Н. В. Кинетические модели роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Н. В. Сибирев. - СПб., 2007. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-20
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>7. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар05-2988
Терехин, Н. А. Создание экологичных и виброустойчивых механических модулей высокопроизводительного оборудования для выращивания монокристаллического кремния [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.13, 05.02.02 / Н. А. Терехин. - Красноярск, 2004. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 20-22 (18 назв.).
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>8. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар05-318
Панов, П. И. Построение систем управления и информационно-измерительных модулей высокопроизводительного оборудования для выращивания монокристаллического кремния [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.13, 05.13.06 / П. И. Панов. - Красноярск, 2004. - 27 с. : ил. - Библиогр.: с. 25-26(14 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>9. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар05-3160
Картавых, А. В. Выращивание монокристаллов полупроводников методом бестигельной зонной плавки в условиях орбитального космического полета [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06 / А. В. Картавых. - М., 2005. - 34 c. - Библиогр.: с. 29-34(39 назв.0
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>10. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар07-4155
Пивоваров, Ю. В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.13.18 / Ю. В. Пивоваров. - Новосибирск, 2006. - 19 с. : ил. - Библиогр.: с. 19(7 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>11. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар06-3514
Русинов, С. В. Градиентная жидкофазная кристаллизация твердых растворов PbSnTe/PbTe с применением системы цифровой обработки сигналов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / С.В. Русинов. - Новочеркасск, 2005. - 25 с. : ил. - Библиогр.: с. 24-25(15 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>12. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар13-14656
Фадеев, А. Ю. Оптимизация процесса роста монокристаллов карбида кремния на затравках различных кристаллографических ориентаций [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / А. Ю. Фадеев. - СПб., 2013. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18
Кл.слова (ненормированные): дефектная структура -- дефекты упаковки -- морфология
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>13. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар13-11992
Лебедев, А. О. Рост и дефектообразование монокристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ [Текст] : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. О. Лебедев. - СПб., 2013. - 35 с. : ил. - Библиогр.: с. 32-35
Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- кристаллизация -- кристаллы -- дефекты
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>14. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар14-1099
Пресняков, Р. В. Выращивание мультикристаллического кремния на основе металлургического кремния высокой чистоты [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Р. В. Пресняков. - Иркутск, 2013. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 21-23 . - 100 экз.
Кл.слова (ненормированные): кремний -- кристаллизация
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>15. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар15-6474
Харламов, Н. А. Ионно-плазменное получение и возможность использования слоев твердого раствора на основе (SiC)1-x(AlN)x на монокристаллическом кремнии [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Н. А. Харламов. - М., 2015. - 25 с. : ил. - Библиогр.: с. 22-25 (20 назв.). - 100 экз.
Кл.слова (ненормированные): широкозонные полупроводники -- гетероэпитаксиальные пленки
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>16. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар14-4574
Завалишин, М. А. Физические и технологические основы получения систем эпитаксиальных нитевидных кристаллов кремния [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. А. Завалишин. - Курск, 2014. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-20 (16 назв.). - 100 экз.
Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые материалы -- микросхемы -- охлаждение
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>17. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар13-8358
Каневский, В. М. Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах [Текст] : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. М. Каневский. - М., 2013. - 46 с. : ил. - Библиогр.: с. 43-46 (34 назв.)
Кл.слова (ненормированные): гетерогенные структуры -- полупроводники -- микроэлектроника
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>18. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР10-29595
Левонович, Б. Н. Физико-химические основы технологии получения монокристаллов и поликристаллических пленок широкозонных полупроводниковых соединений группы А2В6 с управляемыми свойствами [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.17.01, 01.04.10 / Б. Н. Левонович. - М., 2010. - 43 с. : ил. - Библиогр.: с. 41-43 (46 назв.)
Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- кристаллизация -- полупроводниковые пленки -- производство -- оптоэлектронные приборы
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>19. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар11-8259
Гоник, М. М. Повышение точности управления температурным режимом в установках выращивания монокристаллов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.06 / М. М. Гоник. - М., 2011. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16 (14 назв.)
Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые структуры -- ростовой цикл -- ростовые установки -- конструкции -- кристаллизация
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>20. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар11-11520
Васекин, Б. В. Исследование неравновесной кристаллизации в условиях концентрационного переохлаждения при описании направленного роста кристаллов методом Бриджмена [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Б. В. Васекин. - М., 2011. - 19 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-19 (8 назв.)
Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые кристаллы -- выращивание -- полупроводниковые приборы -- задача стефана -- ламинарная конвекция
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
|
|
|