Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=537.311.322:548.4(043)<.>)
Общее количество найденных документов : 182
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-60      
1.
Окунев А.О. Анализ дефектов структуры полупроводников по рентгенотопографическим и поляризационно-оптическим розеткам контраста /А. О. Окунев. - 2009
2.
Власукова Л.А. Анализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композициях на его основе. - 1995
3.
Магомедова П.М. Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe. - 1998
4.
Крыса А.Б. Взаимодействие атомарного водорода с дефектами в монокристаллических соединениях А В . - 1997
5.
Шихсаидов М.Ш. Взаимодействие дислокации с элементарными возбуждениями в полупроводниковых соединениях А В и А В . - 1991
6.
Квит А.В. Взаимодействие и перераспределение примесей в соединениях А В и А В (на примере CdTe и GaAs). - 1992
7.
Максимова О.Г. Взаимодействие центра MnGa и GaAs с электромагнитным и акустическим излучением. - 1993
8.
Клингер П.М. Взаимодействие электрически неактивных примесей с собственными дефектами в кремнии. - 1991
9.
Померанцев Ю.А. Взаимодействия элементарных возбуждений электрон-фононной подсистемы кристаллических полупроводников с дислокациями . - 1993
10.
Бричкин А.С. Влияние SP-D обменного взаимодействия на эскситонные состояния в полумагнитных полупроводниковых квантовых ямах и точках/А. С. Бричкин. - 2009
11.
Юсупова Ш.А. Влияние взаимодействия примесей с глубокими уровнями Mn, Ni и Fe на их распределение и спектр энергетических уровней в кремнии. - 1998
12.
Явтушенко И.О. Влияние внешних воздействий на динамику дислокаций в кремнии вблизи концентраторов напряжений/И. О. Явтушенко. - 2008
13.
Зобов М.Е. Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро- и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка/М. Е. Зобов. - 2008
14.
Осипов П.А. Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn Pb Ge Te и самокомпенсацию примесей в PbSe. - 2000
15.
Костин И.В. Влияние деформации и магнитного поля на электронную структуру глубоких примесных центров в полупроводниках. - 1998
16.
Сорокина Н.О. Влияние деформации и случайных полей, создаваемых заряженными примесями, на электронную структуру глубоких акцепторов в полупроводниках. - 2004
17.
Шинкаренко В.К. Влияние изовалентной примеси германия на дефектно-примесное взаимодействие в кремнии. - 1991
18.
Федоров Д.Л. Влияние кристаллической структуры на экситонные состояния в твердых растворах А В. - 1992
19.
Прохоров А.В. Влияние магнитного поля на процессы рождения экситонов в полярных экситонов в полярных полупроводниках. - 1993
20.
Осипова Е.В. Влияние условий выращивания монокристаллов на основе теллурида свинца на формирование в них дефектов структуры. - 1992
 1-20    21-40   41-60      
 
Описание базы данных
Стандартный
Расширенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика обращений
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)