Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=537.311.322:548.4(043)<.>)
Общее количество найденных документов : 182
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-60      
1.
Абайдулина Т.Г. Электрофизические свойства и дефектообразование в узкощелевых полупроводниках с примесью In. - 1997
2.
Абдуллаев М.А. Квазиландауское магнитопоглощение "ридберговских" состояний экситона в полупроводниках/М. А. Абдуллаев. - 2006
3.
Абдуллин Х.А. Первичные радиационные дефекты в кремнии и их взаимодействие с примесями. - 1999
4.
Алексеева А.Ю. Микроскопические параметры двухэлектронных центров олова в халькогенидах свинца/А. Ю. Алексеева. - 2008
5.
Али Рафик Мохамед Кассим Фотостимулированные процессы в кристаллах CdS[[d]]1-x[[/d]]Se[[d]]x[[/d]], легированных рубидием/Али Рафик Мохамед Кассим. - 2014
6.
Андреев А.С. Теория квантового циклотронного резонанса в полупроводниках при рассеянии носителей на нейтральных примесях. - 2000
7.
Андреев Б.А. Инфракрасная спектроскопия электрически активных примесей в кремнии и германии/Б.А. Андреев. - 2004
8.
Андроненко С.И. Магнитное состояние примесных ионов и дефектов в магнитных полупроводниках и их диэлектрических аналогах/С. И. Андроненко. - 2013
9.
Анисимов В.Г. Исследование ростовых дефектов упаковки монокристаллического кремния рентгенотопографическим методом на основе эффекта Бормана/В. Г. Анисимов. - 2004
10.
Арзуманян Г.В. Моделирование электронного энергетического строения кремния с кристаллографическими дефектами. - 2000
11.
Астафьев О.В. Исследование электрически- и рекомбинационно-активных дефектов в кремнии и сплавах кремний-германий картирующим методом малоуглового рассеяния света. - 1997
12.
Ахкубеков А.Э. Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой/А. Э. Ахкубеков. - 2010
13.
Аязбаев С.С. Гелийсодержащие парамагнитные центры в кремнии. - 1991
14.
Бабунц Р.А. ЭПР и оптические исследования дефектов в широкозонных материалах и разработка методов высокочастотной радиоспектроскопии/Р. А. Бабунц. - 2009
15.
Бадылевич М.В. О роли примесей в формировании электронных свойств и пиннинга дислокаций в кремнии/М.В. Бадылевич. - 2005
16.
Базир Г.И. Исследование спектра локальных электронных состояний собственных дефектов структуры сульфида кадмия. - 1993
17.
Безъязычная Т.В. Электронная структура комплексов с атомами благородных газов в кремнии и алмазе. - 1995
18.
Белехов Я.С. Оптико-электронная диагностика структуры монокристаллических полупроводников с применением вейвлет-анализа/Я. С. Белехов. - 2007
19.
Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями/В. А. Беляков. - 2008
20.
Белянина Е.В. Влияние циркония на важнейшие структурные и электрофизические характеристики полупроводникового кремния. - 1996
 1-20    21-40   41-60      

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)