Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=537.311.322:532.6(043)<.>)
Общее количество найденных документов : 69
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-60      
1.
Авачева Т.Г. Исследование самоорганизации структуры поверхности неупорядоченных полупроводниковых материалов/Т. Г. Авачева. - 2009
2.
Аньчков Д.Г. Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников/Д. Г. Аньчков. - 2010
3.
Аристов В.Ю. Структура и электронные свойства чистой и покрытой ультратонкими металлическими слоями поверхности полупроводников в интервале температур 10-1200К. - 2002
4.
Байдусь Н.В. Фотоэлектронные свойства реальной поверхности арсенида галлия и фосфида индия. - 1995
5.
Бедный Б.И. Электронное состояние поверхности GaAs и InP:диагностика, управление, пассивация. - 1998
6.
Березовец В.А. Квантовые явления в 2D наноструктурах пониженной симметрии (2D-дырки на поверхностях кристалла теллура)/В. А. Березовец. - 2006
7.
Болотов Л.Н. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия поверхностей (111) невырожденного кремния. - 1996
8.
Бондаренко В.Б. Анализ естественных неоднородностей электрического поля и потенциала у поверхности полупроводника. - 1998
9.
Брагинский Л.С. Электронные свойства атомарно-резкой границы раздела полупроводников. - 1998
10.
Буданова Е.М. Кислотно-основные и адсорбционные свойства поверхности полупроводниковых твердых растворов системы ZnSe-CdSe. - 1999
11.
Бутко Н.Б. Осцилляционные и кинетические характеристики 2D-электронного газа в инверсионных слоях на границе зерен бикристаллов p-Hg Cd Te(x=0.23). - 1995
12.
Веденеев А.А. Атомная структура поверхности GaAs(001)-4 x 2 при малой степени покрытия йодом/А. А. Веденеев. - 2007
13.
Галкин И.М. Исследование структуры реальной поверхности полярных граней кристаллов полупроводниковых соединений методом асимптотической брэгговской дифракции/И. М. Галкин. - 1992
14.
Гордеева А.Б. Оптическая анизотропия поверхностей (001) GaAs и InAs/А. Б. Гордеева. - 2013
15.
Григорьев С.Р. Спектрально-временные характеристики оптических процессов в области контакта полупроводник-электролит кристаллов CdS при низких температурах. - 1993
16.
Григорьева Л.Д. Структурно-фазовое состояние приповерхностного слоя кристаллов твердых растворов вблизи границы раздела твердое тело-газ. - 1998
17.
Грошев Г.Е. Исследование границы раздела Si(111) SiO2 в кластерном приближении. - 1994
18.
Гусейнов Э.К. Разогрев электронов излучением и поверхностные явления в узкозонных полупроводниках. - 1990
19.
Даринский А.Б. Диффузия адсорбированных атомов серебра по поверхности кристалла хлористого серебра/А. Б. Даринский . - 2012
20.
Долбак А.Е. Диффузия атомов Ge и металлов, адсорбированных на поверхности кремния/А. Е. Долбак. - 2010
 1-20    21-40   41-60      

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)