Поисковый запрос: (<.>R=47.33.33$<.>) |
Общее количество найденных документов : 409
Показаны документы с 1 по 10 |
|
>1. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР93-4570
Абдуллаев, Б. Ф. Усовершенствование технологии получения щелочных металлов (Na,K,Cs) и сурьмы для гетерофазных процессов [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.17.01 / Б. Ф. Абдуллаев. - Иваново, 1993. - 18 с. : ил В надзаг.: Иванов.хим.-технол.ин-т. Библиогр.: с.18(4 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>2. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР96-5111
Авдиенко, К. И. Получение,модификация,свойства кристаллов для акусто- и оптоэлектроники [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.06 / К. И. Авдиенко. - М., 1996. - 38 с. Библиогр.:с. 32-38(58 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>3. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар11-сф171
Аветисов, И. Х. Физико-химические основы технологии кристаллических халькогенидов кадмия и цинка с контролируемой нестехиометрией [Текст] : автореф. дис. ... д-ра хим. наук : 05.17.01 / И. Х. Аветисов. - М., 2011. - 33 с. : ил. - Библиогр.: с. 32-33
Кл.слова (ненормированные): халькогениды кадмия -- халькогениды цинка -- технологические процессы -- оптоэлектроника
Экземпляры всего 1: СФ (1)
Свободны: СФ (1)
Найти похожие
|
>4. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар13-сф99
Аветисов, Р. И. Высокочистые комплексы 8-оксихинолина с алюминием, галлием и индием для органических светоизлучающих структур [Текст] : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 05.27.06, 05.17.11 / Р. И. Аветисов. - М., 2013. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-16 (17 назв.)
Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- материалы
Экземпляры всего 1: СФ (1)
Свободны: СФ (1)
Найти похожие
|
>5. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар11-22017
Адрианов, В. Е. Спектрально-кинетические проявления взаимодействия квантовых точек между собой и с органическими молекулами [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 / В. Е. Адрианов. - СПб., 2011. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 21-23 (11 назв.)
Кл.слова (ненормированные): нанофотоника -- материалы -- надмолекулярные гибридные структуры -- спектрально-люминесцентные свойства -- квантовые точки -- молекулы -- взаимодействие
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>6. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар06-3429
Аливов, Я. И. Процессы излучательной рекомбинации в пленках оксида цинка и гетероструктурах на их основе [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Я.И. Аливов. - М., 2005. - 15 с. - Библиогр.: с. 12-15 В надзаг.: МГУ им. М.В.Ломоносова, Ин-т проблем технологии микроэлектроники РАН
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>7. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар06-8528
Алиев, Р. А. Структурные и морфологические особенности фазовых превращений в пленках диоксида ванадия [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Р. А. Алиев. - СПб., 2006. - 17 с. : ил. - Библиогр.: с. 16-17 (10 назв.).
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>8. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР90-012326
Алкаров, И. Ш. Исследование особенностей продольной фотопроводимости пленок сульфида кадмия [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / И. Ш. Алкаров. - М., 1990. - 24 с. В надзаг. : Моск. ин-т электронной техники. Библиогр.:с. 24(12 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>9. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР00-7361
Алфимова, Д. Л. Многокомпонентные висмутсодержащие твердые растворы А В , полученные в поле температурного градиента [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / Д. Л. Алфимова. - Новочеркасск, 2000. - 19 с. : ил. Библиогр.:с. 18-19(14 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>10. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар13-4214
Аль-Обайди Надир Джасим Мохаммед Зависимость электрических и люминесцентных свойств эпитаксиальных слоев оксида цинка от условий осаждения и уровня легирования атомами галлия [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / автореф. дис. на соиск. ученой степ. канд. физ.-мат. наук :01.04.04. - Махачкала, 2012. - 19 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-19 (11 назв.)
Кл.слова (ненормированные): оптоэлектронные приборные структуры -- оксид цинка -- эпитаксиальные пленки -- оптимальные технологические условия
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
|
|
|