Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=полупроводниковые приборы<.>)
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-23 
1.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар10-24500
Автор(ы) : Милешко Л.П.
Заглавие : Разработка и исследование технологических основ формирования легированных анодных пленок диоксида кремния : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.01
Выходные данные : Таганрог, 2010
Колич.характеристики :47 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 41-47 (57 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоксид кремния--анодные пленки--легирование--физико-химические основы--технологические основы--легирующие электролиты--интегральные схемы--полупроводниковые приборы
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
2.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар10-27494
Автор(ы) : Шмелев Е.И.
Заглавие : Исследование специфики фликкерных и естественных шумов в полупроводниковых структурах на основе GaAs : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.03
Выходные данные : Н.Новгород, 2010
Колич.характеристики :17 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 14-16 (16 назв.)
ГРНТИ : 47.05.07
УДК : 621.391.822:621.382(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--низкочастотные шумы--естественные шумы--фликкерный шум--качество--чувствительность--стабильность--дефекты--эффект яна-теллера--диоды шоттки--моделирование
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
3.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар10-27623
Автор(ы) : Ходаков А.М.
Заглавие : Математическое моделирование теплоэлектрических процессов в структурах полупроводниковых изделий с дефектами : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.13.18
Выходные данные : Ульяновск, 2010
Колич.характеристики :24 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 23-24 (16 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.382.017.7-047.58(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--дефекты--температурные поля--плотность тока--теплоэлектрические модели--режим работы--долговечность
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
4.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар11-2853
Автор(ы) : Шатунов В.В.
Заглавие : Синтез и очистка GaEt3 и [SiH2]5-прекурсоров для создания полупроводниковых структур : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.08
Выходные данные : М., 2011
Колич.характеристики :22 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 23-24 (8 назв.). - В надзаг.: Гос. НИИ химии и технологии элементоорган. соединений (ГНЦ РФ "ГНИИХТЭОС")
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.382-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--производство--вспомогательные материалы
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
5.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар11-4253
Автор(ы) : Леготин С.А.
Заглавие : Разработка СБИС квантового пиксельного координатного детектора радиационных частиц на основе функционально-интегрированных биполярных структур : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01
Выходные данные : М., 2011
Колич.характеристики :33 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 32-33 (11 назв.)
ГРНТИ : 29.15.39
УДК : 539.1.074.5(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--интегральные схемы--ионизационные процессы--кристаллы--топология
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
6.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар11-4385
Автор(ы) : Протопопов Г.А.
Заглавие : Устойчивость атомарной структуры оксида кремния после радиационно-термической обработки МОП приборов : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01
Выходные данные : М., 2011
Колич.характеристики :23 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 23 (11 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.382:539.16(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--радиационная стойкость--радиационно-термическая обработка
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
7.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар11-9934
Автор(ы) : Семисалов Б.В.
Заглавие : Математическое моделирование в задачах переноса заряда в полупроводниковых кремниевых устройствах : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.13.18
Выходные данные : Омск, 2011
Колич.характеристики :21 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 20-21 (11 назв.)
ГРНТИ : 47.01.77
УДК : 621.382-047.58(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--перенос заряда--математическое моделирование--гидродинамическая модель mep--принцип максимума энтропии
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
8.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар11-11520
Автор(ы) : Васекин Б.В.
Заглавие : Исследование неравновесной кристаллизации в условиях концентрационного переохлаждения при описании направленного роста кристаллов методом Бриджмена : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : М., 2011
Колич.характеристики :19 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-19 (8 назв.)
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.322:548.5(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые кристаллы--выращивание--полупроводниковые приборы--задача стефана--ламинарная конвекция
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
9.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар11-18157
Автор(ы) : Пионкевич В.А.
Заглавие : Разработка и исследование регуляторов напряжения для источников распределенной генерации с асинхронными генераторами : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.14.02
Выходные данные : Иркутск, 2011
Колич.характеристики :18 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 16-18 (12 назв.)
ГРНТИ : 44.29.39
УДК : 621.311.69(043) + 621.313.332-52(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): автономное электроснабжение--источники распределенной генерации--асинхронные генераторы--автоматические регуляторы напряжения--обратная связь--полупроводниковые приборы--реактиная мощность
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
10.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар11-19447
Автор(ы) : Страумал П.Б.
Заглавие : Ферромагнетизм наноструктурных пленок оксида цинка : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : М., 2011
Колич.характеристики :22 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 22 (16 назв.)
ГРНТИ : 29.19.39
УДК : 546.47-31-022.532.03:539.216.2(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): поликристаллические материалы--нанокристаллические оксиды--спинтроника--метод жидкой керамики--полупроводниковые приборы
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
11.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар11-21134
Автор(ы) : Пчелинцева Е.С.
Заглавие : Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Ульяновск, 2011
Колич.характеристики :21 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-21
ГРНТИ : 47.59.39
УДК : 621.039.557-181.4(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): источники питания радиоизотопные--микроэлектромеханические системы--полупроводниковые приборы--бета-источники--долгоживущие радионуклиды
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
12.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар11-22833
Автор(ы) : Тимошина М.И.
Заглавие : Влияние термообработки и легирования на свойства мнокристаллического кремния : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06
Выходные данные : М., 2011
Колич.характеристики :21 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-21 (22 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592:669.046.516(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний--термическая обработка--легирование--легирующие добавки--полупроводниковые приборы--термостабильность
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
13.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-3900
Автор(ы) : Смирнов Д.Ю.
Заглавие : Диагностика полупроводниковых изделий на основе параметров низкочастотного шума : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.01
Выходные данные : Воронеж, 2012
Колич.характеристики :42 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 36-42 (55 назв.)
ГРНТИ : 47.01.81
УДК : 621.382:658.562(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--технический контроль--разбраковка--шумовые параметры
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
14.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-3991
Автор(ы) : Зуев С.М.
Заглавие : Тепловые процессы в системах металлизаций полупроводниковых структур и керамик : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Ульяновск, 2012
Колич.характеристики :22 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 21-22
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.382-047.84:621.793(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--производство--контакт металл-полупроводник--металлизация
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
15.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-11205
Автор(ы) : Кравченко А.А.
Заглавие : Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06
Выходные данные : М., 2012
Колич.характеристики :25 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 24-25 (12 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.382-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--производство--оборудование
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
16.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-21432
Автор(ы) : Арсентьев А.В.
Заглавие : Прогнозирование деградации электрических параметров полупроводниковых изделий : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01
Выходные данные : Воронеж, 2012
Колич.характеристики :16 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 14-16 (21 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.382.019.3(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--процесс деградации--прогнозирование--испытания на долговечность
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
17.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар13-546
Автор(ы) : Лозовский В.С.
Заглавие : Моделирование эволюции межфазных границ при термомиграции жидкой зоны в кристалле методом точечных источников : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.18
Выходные данные : Новочеркасск, 2012
Колич.характеристики :19 с.: ил.
Примечания : Библиогр.: с. 17-19 (21 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.382-047.84-047.58(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--производство--моделирование--технологические режимы--метод термомиграции
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
18.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар13-2508
Автор(ы) : Шабельникова Я.Л.
Заглавие : Анализ ключевых характеристик методов локальной диагностики полупроводников - метода наведенного рентгеновским пучком тока и рентгеновского флуоресцентного метода : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07, 05.27.01
Выходные данные : М., 2013
Колич.характеристики :26 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 24-26 (15 назв.)
ГРНТИ : 47.01.81
УДК : 621.382:620.179(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--микроэлектроника--дефектоскопия
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
19.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар13-5405
Автор(ы) : Зарубина О.Н.
Заглавие : Межфазные превращения в системах AIIIBV-H2O и формирование поверхности полупроводниковых соединений в жидких средах : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 02.00.04
Выходные данные : Томск, 2013
Колич.характеристики :21 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-21 (18 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.382-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--производство--подготовка поверхности полупроводников
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
20.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар13-7864
Автор(ы) : Антропов И.М.
Заглавие : Влияние адсорбции молекул на электрофизические и магнитные свойства нанокомпозитов на основе пористого кремния : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : М., 2013
Колич.характеристики :26 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 25-26(14 назв.). - В надзаг.: МГУ им. М.В. Ломоносова, Физ. фак.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.322-022.532:537(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--полупроводниковые приборы--газовые сенсоры
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
 1-20    21-23 

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)