Поисковый запрос: (<.>K=полупроводниковые гетероструктуры<.>) |
Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 24 |
1. 
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар10-27364
Автор(ы) : Матвеев Б.А.
Заглавие : Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на их основе
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2010
Колич.характеристики :35 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 29-35
ГРНТИ : 47.57
УДК : 621.384.3(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): инфракрасная техника--полупроводниковые тврдые растворы--полупроводниковые гетероструктуры--оптические свойства--электрические свойства--механические свойства--дефектообразование--светодиоды--фотодиоды--лазеры--газовый анализ--энергосберегающее приборостроение
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар09-10946
Автор(ы) : Полтавцев С.В.
Заглавие : Лазерная спектроскопия и когерентная оптическая динамика 2D-экситонных зеркал на основе AlGaAs структур с изолированными GaAs квантовыми ямами
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : СПб., 2009
Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 16. - В надзаг.: С.-Петербург. гос. ун-т
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.322:535(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--квантовые ямы--оптические свойства--экспериментальное исследование--релаксация когерентности--резонансные квазидвумерные экситоны
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар11-17814
Автор(ы) : Быков А.А.
Заглавие : Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Новосибирск, 2011
Колич.характеристики :36 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 31-36
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--модулированное легирование--магнетотранспортные явления--методы исследования--квантовые ямы--боковые сверхрешеточные барьеры
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар11-19722
Автор(ы) : Николаев С.Н.
Заглавие : Электронный спектр многофазной системы неравновесных носителей заряда и условия возникновения коллективных эффектов в полупроводниковых квантоворазмерных гетероструктурах
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21
Выходные данные : М., 2011
Колич.характеристики :19 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-19 (6 нназв.)
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383-022.532(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--фазовые переходы--электронно-дырочная система--пониженная размерность--коллективные состояния--условия образования--оптоэлектронные устройства
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар11-19534
Автор(ы) : Платенкин А.В.
Заглавие : Разработка туннельно-резонансного метода идентификации и количественной оценки содержания наноструктурных объектов в продуктах плазмохимического синтеза
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.11.13
Выходные данные : Тамбов, 2011
Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-16 (12 назв.)
ГРНТИ : 31.15.29 + 47.33
УДК : 66.091.088(043) + 621.315.592.9(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): плазмохимический синтез--углеродные нанообъекты--полупроводниковые гетероструктуры--носители заряда--резонансное туннелирование
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-7587
Автор(ы) : Давыдов В.Г.
Заглавие : Динамика оптических возбуждений в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах АIIIВV
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.01.07
Выходные данные : СПб., 2012
Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 16 (8 назв.). - В надзаг.: С.-Петербург. гос. ун-т
ГРНТИ : 47.01.77
УДК : 621.315.592.9:535(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--квантовые ямы--квантовые точки--динамика оптически возбужденных экситонов--экспериментальное исследование--лазерная спектроскопия
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-12842
Автор(ы) : Мухин М.С.
Заглавие : Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2012
Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-18 (11 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--молекулярно-пучковая эпитаксия--магнитооптические явления--фотогальванические свойства--детекторы инфракрасного излучения--лазеры
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-19307
Автор(ы) : Коптев Е.С.
Заглавие : Перенос заряда в системе квантовых точек германия в кремнии
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Новосибирск, 2012
Колич.характеристики :21 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-21
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--туннельно-связанные квантовые точки--механизмы транспорта заряда
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-19739
Автор(ы) : Середин П.В.
Заглавие : Субструктура и оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Воронеж, 2012
Колич.характеристики :32 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 29-32
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--квазипериодические неоднородности--твердые растворы--монокристаллические подложки
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-20485
Автор(ы) : Хабибуллин Р.А.
Заглавие : Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. : 05.27.01
Выходные данные : М., 2012
Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 21-22 (10 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--молекулярно-лучевая эпитаксия--квантовые ямы--электронные свойства--методы исследования--комбинированное легирование
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
11.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-21716
Автор(ы) : Юрасов Д.В.
Заглавие : Особенности образования нанооостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Н.Новгород, 2012
Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-23
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--эпитаксия--селективное легирование--донорные примеси
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
12.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-23069
Автор(ы) : Горн Д.И.
Заглавие : Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Томск, 2012
Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-18
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9:535.37(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--фотолюминесценция
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
13.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар13-4272
Автор(ы) : Шамирзаев Т.С.
Заглавие : Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Новосибирск, 2013
Колич.характеристики :42 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 37-42
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33
УДК : 537.311.322:539.216.2(043) + 621.315.592.9(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--экситоны--рекомбинация--спиновая релаксация
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
14.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР11-30770
Автор(ы) : Глотов А.В.
Заглавие : Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе А3В5
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Воронеж, 2011
Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 16 (7 назв.)
ГРНТИ : 47.01.77
УДК : 621.315.592.9(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--методы исследования
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
15.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар13-3290
Автор(ы) : Бурдейный Д.И.
Заглавие : Электронные и оптические свойства резонансных состояний мелких примесей в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах AIIIBV
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Н.Новгород, 2013
Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-22
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33
УДК : 537.311.322:548.4(043) + 621.315.592.9(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--примеси--резонансные состояния--полупроводниковые гетероструктуры
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
16.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар13-13079
Автор(ы) : Номан Мустафа Абдулла Али
Заглавие : Мониторинг конструкторско-технологических параметров полупроводниковых гетероструктур с использованием цифровой обработки изображений их поверхности
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.12.04
Выходные данные : Владимир, 2013
Колич.характеристики :19 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-19 (11 назв.)
ГРНТИ : 47.13.81
УДК : 621.315.592.9-047.56(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--производство--технический контроль
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
17.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар13-16802
Автор(ы) : Яроцкая И.В.
Заглавие : Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели ( лямбда = 808 НМ) на их основе
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.03
Выходные данные : М., 2013
Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-22
ГРНТИ : 47.35.31
УДК : 621.373.826.038.825.5(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): лазеры полупроводниковые--полупроводниковые гетероструктуры
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
18.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар13-17162
Автор(ы) : Самсонов А.А.
Заглавие : Термическое оксидирование InP, модифицированного нанесенными композициями оксидов NiO+PbO, V2O5+PbO
: автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.01
Выходные данные : Воронеж, 2013
Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-16 (13 назв.)
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592.9-047.56(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--магнетронный синтез--полупроводниковый монокристалл
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
19.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар13-17389
Автор(ы) : Багаев Т.А.
Заглавие : Получение лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с несколькими P-N-переходами методом мос-гидридной эпитаксии
: автореф. дис. ... канд. хим. наук : 05.27.06
Выходные данные : М., 2013
Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-22
ГРНТИ : 47.35.31
УДК : 621.373.826.038.825-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): лазеры полупроводниковые--полупроводниковые гетероструктуры--эпитаксия
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
20.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар14-559
Автор(ы) : Лапин В.А.
Заглавие : Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.15
Выходные данные : Нальчик, 2013
Колич.характеристики :20 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-20
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.315.592.9-047.84(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--молекулярно-лучевая эпитаксия--методы исследования
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
21.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар14-5016
Автор(ы) : Яковлев И.Н.
Заглавие : Исследования светоизлучающих гетероструктур с квантовыми ямами, ориентированными в полярных и неполярных направлениях
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2014
Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 14-16
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--светодиоды
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
22.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар14-4753
Автор(ы) : Рамзанов Ш.М.
Заглавие : Получение и исследование эпитаксиальных пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x, и поверхностно-барьерных структур на их основе
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Махачкала, 2014
Колич.характеристики :21 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-21
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33
УДК : 537.311.322:539.216.2(043) + 621.315.592.9(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): твердые растворы--пленки--полупроводниковые гетероструктуры
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
23.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар14-11497
Автор(ы) : Филатов Е.В.
Заглавие : Кинетика релаксации носителей в фотовозбужденных гетероструктурах 2-го типа
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Черноголовка, 2014
Колич.характеристики :23 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с.22-23 (11 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--фотоприемники--фотоэлементы
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
24.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар14-12535
Автор(ы) : Миронова М.С.
Заглавие : K[[i]]p[[/i]]-теория возмущений и метод инвариантов в теории гетероструктур на основе многодолинных полупроводников с вырожденными зонами
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2014
Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-18
ГРНТИ : 47.03.05
УДК : 621.315.592.9(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--теория
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных