Поисковый запрос: (<.>K=молекулярно-лучевая эпитаксия<.>) |
Общее количество найденных документов : 13
Показаны документы с 1 по 13 |
1. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар10-27132
Автор(ы) : Настовьяк А.Г.
Заглавие : Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование)
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Новосибирск, 2010 Колич.характеристики :21 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-21
ГРНТИ : 29.19.31 УДК : 537.311.322:548.5(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): физика полупроводников--нанокристаллы--кремний--германий--нановискеры--модель роста монте-карло--диффузия--химические превращения--морфология поверхности--газофазная эпитаксия--молекулярно-лучевая эпитаксия--аксиальные гетеропереходы
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
2. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар10-27822
Автор(ы) : Дзядух С.М.
Заглавие : Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Томск, 2010 Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-19
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп-структуры--инфракрасная техника--оптоэлектроника--молекулярно-лучевая эпитаксия--электрофизические свойства--границы раздела--параметры--фотоэлектрические свойства
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
3. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар11-8906
Автор(ы) : Комиссарова Т.А.
Заглавие : Электрофизические свойства нитрида индия и твердых растворов на его основе
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2011 Колич.характеристики :21 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 20-21 (13 назв.). - В надзаг.: Рос. АН, Физико-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе
ГРНТИ : 29.19.31 УДК : 537.311.322:537(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--молекулярно-лучевая эпитаксия--электроны--транспортные параметры--поверхностный слой
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
4. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар11-8870
Автор(ы) : Мизеров А.М.
Заглавие : Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al, Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроники
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2011 Колич.характеристики :21 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-21 . - В надзаг.: Рос. АН, Физико-техн. н-т им. А.Ф. Иоффе
ГРНТИ : 41.51.31 УДК : 681.7.069.225(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ультрафиолетовое излучение--источники--материалы--прямозонные полупроводниковые соединения--гетероструктуры--молекулярно-лучевая эпитаксия--термодинамические свойства
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
5. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар11-10103
Автор(ы) : Филимонова Н.И.
Заглавие : Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике"
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07
Выходные данные : Томск, 2011 Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 22 (2 назв.)
ГРНТИ : 47.13.33 УДК : 621.315.592.9-047.56(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структуры полупроводник-диэлектрик--молекулярно-лучевая эпитаксия--экспериментальное исследование--диэлектрические буферные слои--формирование--рост--технологические процессы--оптимизация
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
6. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар11-10172
Автор(ы) : Сидоров Г.Ю.
Заглавие : Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Новосибирск, 2011 Колич.характеристики :18 с.
Примечания : Библиогр.: с. 15-18 (32 назв.)
ГРНТИ : 47.57 УДК : 621.384.3-047.56(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотоприемники--инфракрасный диапазон--твердые растворы--теллуриды кадмия--теллуриды ртути--молекулярно-лучевая эпитаксия--электрофизические свойства
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
7. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар11-10029
Автор(ы) : Мамутин В.В.
Заглавие : Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2011 Колич.характеристики :34 с.
Примечания : Библиогр.: с. 28-34
ГРНТИ : 31.15.17 УДК : 539.23(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): молекулярно-лучевая эпитаксия--плазменные источники--нитридные соединения--высокотемпературные сверхпроводники--сверхтонкие пленки--квантоворазмерные гетероструктуры--полупроводниковые лазеры
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
8. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар11-21718
Автор(ы) : Яблонский А.Н.
Заглавие : Фотолюминесценция, спектры возбуждения и кинетика излучательной релаксации в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Н.Новгород, 2011 Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-22
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светоизлучающие структуры--источники излучения--молекулярно-лучевая эпитаксия
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
9. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар12-19768
Автор(ы) : Эрвье Ю.Ю.
Заглавие : Элементарные процессы на ступенях в кинетике эпитаксиального роста и легирования при сильных отклонениях от равновесия
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Томск, 2012 Колич.характеристики :34 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 32-34
ГРНТИ : 29.19.03 УДК : 538.91-047.84-047.58(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры--молекулярно-лучевая эпитаксия--кинетика--моделирование
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
10. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар12-20485
Автор(ы) : Хабибуллин Р.А.
Заглавие : Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. : 05.27.01
Выходные данные : М., 2012 Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 21-22 (10 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--молекулярно-лучевая эпитаксия--квантовые ямы--электронные свойства--методы исследования--комбинированное легирование
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
11. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-559
Автор(ы) : Лапин В.А.
Заглавие : Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.15
Выходные данные : Нальчик, 2013 Колич.характеристики :20 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-20
ГРНТИ : 47.13.11 УДК : 621.315.592.9-047.84(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--молекулярно-лучевая эпитаксия--методы исследования
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
12. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-5095
Автор(ы) : Буравлев А.Д.
Заглавие : Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства полупроводниковых магнитных наноструктур
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.01, 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2014 Колич.характеристики :38 с.
Примечания : Библиогр.: с. 29-38. - В надзаг.: Ин-т аналит. приборостроения Рос. акад. наук
ГРНТИ : 47.09.35 УДК : 621.318.1-022.532(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магнитные наноструктуры--нитевидные нанокристаллы--квантовые точки--молекулярно-лучевая эпитаксия
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
13. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар15-1186
Автор(ы) : Виниченко А.Н.
Заглавие : Электронные транспортные и оптические свойства варизонных наногетероструктур с квантовой ямой Al[[d]]x[[/d]]Ga[[d]]1-x[[/d]]As/In[[d]]y[[/d]]Ca[[d]]1-y[[/d]]As/Al[[d]]x[[/d]]Ca[[d]]1-x[[/d]]As
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : М., 2015 Колич.характеристики :24 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 23-24 (8 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктурные phemt--квантовые ямы--молекулярно-лучевая эпитаксия
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
|
|