Поисковый запрос: (<.>K=кремниевые структуры<.>) |
Общее количество найденных документов : 13
Показаны документы с 1 по 13 |
1. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар10-24706
Автор(ы) : Дусь А.И.
Заглавие : Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2010 Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-18
ГРНТИ : 47.13.11 УДК : 621.315.592.9-047.84(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры--диоксид кремния--термическое окисление--моделирование--диэлектрик--интегральные микросхемы
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
2. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар10-24739
Автор(ы) : Чубенко Д.Н.
Заглавие : Взаимодействие атомов Ge с поверхностными реконструкциями в системе Me/Si(111)
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Владивосток, 2010 Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-17
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры--искусственные подложки--модификация структуры--модификация свойств--поверхностная реконструкция--твердые растворы
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
3. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар11-16726
Автор(ы) : Мустафаев А.Г.
Заглавие : Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки
: автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06
Выходные данные : Новочеркасск, 2011 Колич.характеристики :32 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 27-32 (67 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11 УДК : 621.315.592.9-047.56(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры--кремниевые пленки на сапфире--электрофизические параметры--технологические режимы--ионная имплантация--улучшенная структура
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
4. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар12-19481
Автор(ы) : Денисов С.А.
Заглавие : Молекулярно-лучевая эпитаксия из сублимационного источника слоев кремния и гетероструктур SiGe/Si на сапфире
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Н.Новгород, 2012 Колич.характеристики :20 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-20
ГРНТИ : 47.13.11 УДК : 621.315.592.9-047.84(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры--эпитаксия--микроэлектроника--оптоэлектроника
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
5. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-11387
Автор(ы) : Шемухин А.А.
Заглавие : Дефектообразование и рекристаллизация в пленках кремния на сапфире при ионном облучении
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20
Выходные данные : М., 2013 Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 21-22 (10 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11 УДК : 621.315.592.9-047.56(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры--производство
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
6. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-11548
Автор(ы) : Смыслова Т.Н.
Заглавие : Особенности взаимодействия молекулярных пучков с поверхностью кремния в условиях выращивания слоев методом вакуумной химической эпитаксии
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Н.Новгород, 2013 Колич.характеристики :25 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 20-5
ГРНТИ : 47.13.11 УДК : 621.315.592.9-047.56(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры--вакуумная химическая эпитаксия
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
7. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-14631
Автор(ы) : Лошкарев И.Д.
Заглавие : Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Новосибирск, 2013 Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-18
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
8. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-14856
Автор(ы) : Ли Г.В.
Заглавие : Технология и оптические свойства фотонно-кристаллических структур на основе макропористого кремния
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2013 Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 22 (12 назв.)
ГРНТИ : 47.57 УДК : 621.384.3-047.84(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): инфракрасная техника--кремниевые структуры--фотоэлектрохимическое травление
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
9. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-16238
Автор(ы) : Спирин Д.Е.
Заглавие : Особенности электронно-энергетической и атомной структуры и фотолюминесценции пленок SiOx имплантированных углеродом
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Воронеж, 2013 Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-16 (12 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры--отжиг--фазовый состав--электронное строение--фотолюминесценция
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
10. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-19742
Автор(ы) : Кудрявцев К.Е.
Заглавие : Особенности электролюминесценции Er-содержащих центров с линейчатыми спектрами излучения в кремниевых эпитаксиальных структурах
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Н.Новгород, 2013 Колич.характеристики :18 с.
Примечания : Библиогр.: с. 15-18
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светодиоды--кремниевые структуры
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
11. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-3711
Автор(ы) : Безбабный Д.А.
Заглавие : Исследование формирования, структуры и свойств пленок полупроводниковых силицидов кальция на Si(111)
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Владивосток, 2014 Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 16-18
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
12. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-8048
Автор(ы) : Хуинь Конг Ту
Заглавие : Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний - диоксид кремния
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.03
Выходные данные : СПб., 2014 Колич.характеристики :23 с.
Примечания : Библиогр.: с. 21-23 (21 назв.)
ГРНТИ : 47.13.35 УДК : 621.315.592.9:621.373.826(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры--обработка лазерная
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
13. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-8974
Автор(ы) : Валов Г.В.
Заглавие : Процессы массопереноса при зонной сублимационной перекристаллизации кремния с использованием микроразмерной ростовой ячейки
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Краснодар, 2013 Колич.характеристики :20 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-20 (14 назв.)
ГРНТИ : 47.13.11 УДК : 621.315.592.9-047.84(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры--эпитаксия--зонная сублимационная перекристаллизация
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
|
|