Поисковый запрос: (<.>K=границы раздела<.>) |
Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8 |
1. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар12-5310
Автор(ы) : Власов Ю.Н.
Заглавие : Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Воронеж, 2012 Колич.характеристики :16 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.: с. 14-16 (20 назв.)
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33 УДК : 537.311.322:530.145(043) + 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): арсенид галлия--электронные состояния--гетероструктуры--границы раздела--обработка в парах селена
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
2. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар11-23058
Автор(ы) : Сачков В.А.
Заглавие : Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/AlAs методом численного эксперимента
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Омск, 2011 Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 16-18 (10 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры--полупроводниковые нанообъекты--структура--процессы самоорганизации--границы раздела--комбинационное рассеяние света
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
3. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар15-5435
Автор(ы) : Санников А.В.
Заглавие : Исследование атомной структуры межфазных границ Ni-Al, Cu-Au, Ni-γFe и процессов, протекающих вблизи них на атомном уровне в условиях различных внешних воздействий
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Барнаул, 2015 Колич.характеристики :23 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 20-23
ГРНТИ : 53.49.07 УДК : 669.017:539.2(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): металлы--структура--границы раздела--диффузионная проницаемость--твердофазный контакт--пластическая деформация
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
4. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар12-8098
Автор(ы) : Дерябин М.С.
Заглавие : Экспериментальные исследования нелинейных эффектов в сильнонеоднородных интенсивных акустических полях
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.01
Выходные данные : Н., 2012 Колич.характеристики :23 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 21-23
ГРНТИ : 29.37.03 УДК : 543.222.2(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нелинейная акустика--акустические колебания--акустические волны--границы раздела
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
5. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар11-16325
Автор(ы) : Майдыковский А.И.
Заглавие : Исследование микроструктур и границ раздела методом генерации второй оптической гармоники
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.05
Выходные данные : М., 2011 Колич.характеристики :25 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 22-25
ГРНТИ : 47.01.77 УДК : 621.315.592.9:535(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые микроструктуры--мезопористый кремний--поверхностные структуры--границы раздела--конфокальная микроскопия--приповерхностный слой--железоиттриевый гранат--пленки
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
6. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар10-27822
Автор(ы) : Дзядух С.М.
Заглавие : Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Томск, 2010 Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-19
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп-структуры--инфракрасная техника--оптоэлектроника--молекулярно-лучевая эпитаксия--электрофизические свойства--границы раздела--параметры--фотоэлектрические свойства
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
7. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар11-18622
Автор(ы) : Тимошнев С.Н.
Заглавие : Электронная структура границ раздела CsInGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2011 Колич.характеристики :20 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-20
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры--границы раздела--формирование--электронная структура--аккумуляционный слой--энергетические параметры
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
8. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар11-16736
Автор(ы) : Матвеев Ю.А.
Заглавие : Электронные и электрофизические свойства границ раздела металл/диэлектрик(металл=An, Ni, Al, Fe, Gd, диэлектрик=HfO2, LaAlOз, Al2Oз)
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : М., 2011 Колич.характеристики :24 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 23-24 (10 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп-структуры--границы раздела--электрофизические свойства--термообработка--логические устройства--запоминающие устройства
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
|
|