Поисковый запрос: (<.>K=границы раздела<.>) |
Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8 |
1.
| Власов Ю.Н. Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs/Ю. Н. Власов. - 2012
|
2.
| Дерябин М.С. Экспериментальные исследования нелинейных эффектов в сильнонеоднородных интенсивных акустических полях/М. С. Дерябин. - 2012
|
3.
| Дзядух С.М. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками/С. М. Дзядух. - 2010
|
4.
| Майдыковский А.И. Исследование микроструктур и границ раздела методом генерации второй оптической гармоники/А. И. Майдыковский. - 2011
|
5.
| Матвеев Ю.А. Электронные и электрофизические свойства границ раздела металл/диэлектрик(металл=An, Ni, Al, Fe, Gd, диэлектрик=HfO2, LaAlOз, Al2Oз)/Ю. А. Матвеев. - 2011
|
6.
| Санников А.В. Исследование атомной структуры межфазных границ Ni-Al, Cu-Au, Ni-γFe и процессов, протекающих вблизи них на атомном уровне в условиях различных внешних воздействий/А. В. Санников. - 2015
|
7.
| Сачков В.А. Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/AlAs методом численного эксперимента/В. А. Сачков. - 2011
|
8.
| Тимошнев С.Н. Электронная структура границ раздела CsInGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя/С. Н. Тимошнев. - 2011
|
|
|