Goller, K. -W.     Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen [Text] : diss / K. -W. Goller. - Hamburg : [s. n.], 1990. - 6, 110 c : ил. - Б. ц. ; Библиогр.: с.100-103 Перевод заглавия: 0 ^aКонструкция установки для молекулярно-лучевой эпитаксии и исследование ориентированного роcта пленок кристаллических полупроводников Ga-As и AlGaAs. Дис    Перевод заглавия: 0 ^aКонструкция установки для молекулярно-лучевой эпитаксии и исследование ориентированного роcта пленок кристаллических полупроводников Ga-As и AlGaAs. Дис ГРНТИ ^a29.19.31 ^a29.19.16 ^a47.13.11 Кл.слова (ненормированные): 0 ; молекулярно-лучевая эпитаксия; рост пленок; полупроводники Свободных экз. нет