|
|
Kim, H.
Electronic and structural properties of the As vacancy on the (110) surface of GaAs [Text] : сборник научных трудов / H. Kim, J. R. Chelikowsky. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 2000. - 8 p. : ill. - (UMSI research report / University of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute ; 2000/115). - ^aБиблиогр.:с.7-8. - Б. ц.
Рубрики: Галлий, арсениды
Доп.точки доступа:
Chelikowsky, J.R.
Свободных экз. нет
|
|