Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР90-04653 Автор(ы) : Портнов С.М. Заглавие : Влияние примесей галогенов на строение и электрофизические параметры границ раздела St-SiO2 и GaAs-ZnS : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 Выходные данные : М., 1990 Колич.характеристики :18 с. Примечания : В надзаг. : Моск. ин-т тонкой хим. технологии им. М.В.Ломоносова. Библиогр.:с. 17-18(9 назв.) ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1)