|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-16802
Автор(ы) : Яроцкая И.В.
Заглавие : Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели ( лямбда = 808 НМ) на их основе
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.03
Выходные данные : М., 2013 Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-22
ГРНТИ : 47.35.31 УДК : 621.373.826.038.825.5(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): лазеры полупроводниковые--полупроводниковые гетероструктуры
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1)
|
|