Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-16802 Автор(ы) : Яроцкая И.В. Заглавие : Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели ( лямбда = 808 НМ) на их основе : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.03 Выходные данные : М., 2013 Колич.характеристики :22 с.: ил Примечания : Библиогр.: с. 19-22 ГРНТИ : 47.35.31 УДК : 621.373.826.038.825.5(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): лазеры полупроводниковые--полупроводниковые гетероструктуры Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1)