Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-6085 Автор(ы) : Карабешкин К.В. Заглавие : Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и альфа-C: Н облучением ионами RFn срдних энергий : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04, 01.04.10 Выходные данные : СПб., 2013 Колич.характеристики :18 с.: ил Примечания : Библиогр.: с. 17-18 ГРНТИ : 47.13.33 УДК : 621.315.592:669.046.516(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--ионная имплантация Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1)