Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар12-21716 Автор(ы) : Юрасов Д.В. Заглавие : Особенности образования нанооостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 Выходные данные : Н.Новгород, 2012 Колич.характеристики :22 с.: ил Примечания : Библиогр.: с. 19-23 ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9-047.84(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--эпитаксия--селективное легирование--донорные примеси Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1)