Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар12-20485 Автор(ы) : Хабибуллин Р.А. Заглавие : Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. : 05.27.01 Выходные данные : М., 2012 Колич.характеристики :22 с.: ил Примечания : Библиогр.: с. 21-22 (10 назв.) ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--молекулярно-лучевая эпитаксия--квантовые ямы--электронные свойства--методы исследования--комбинированное легирование Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1)