|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар10-22558
Автор(ы) : Карташова А.П.
Заглавие : Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2010 Колич.характеристики :19 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-19
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1)
|
|