Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар10-22558 Автор(ы) : Карташова А.П. Заглавие : Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 Выходные данные : СПб., 2010 Колич.характеристики :19 с.: ил Примечания : Библиогр.: с. 18-19 ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043) Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1)