АР01-1508

    Неустроев, Е. П.
    Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких ( 1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Е. П. Неустроев. - Новосибирск, 2000. - 17 с.
В надзаг. : АН РФ. Сиб. отд-ние. Объед. ин-т физики полупроводников. Библиогр.:с. 16-17

ГРНТИ
УДК


Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)