|
|
АР95-4320
Дерягин, Н. Г.
Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на Si из раствора-расплава [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Г. Дерягин. - СПб, 1995. - 20 с.
В надзаг.: Рос.АН,Физ.-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.: с.18-20(13 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
|
|