Ар14-2677

    Мозжерин, А. В.
    Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. В. Мозжерин. - Иркутск, 2014. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-20 . - 100 экз.

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
дислокации -- полупроводниковая электроника -- солнечная энергетика

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)